據Digitimes報導，台積電近期已將第二代氟化玻璃（FSG）製程良率提高到商業量產程度，由於台積電FSGⅡ在低電介質係數（Low-K）已降到2.5～2.7，而競爭對手IBM仍面臨調整FSG製程良率問題，台積電內部表示，FSGⅡ製程已接獲數家北美通訊與邏輯IC訂單，預計第三季末以0.13微米製程量產。
IBM在Low-K低電介質製程技術原以Silk材質為主，但在0.13微米製程以下面臨熱膨脹係數（CTE）遠高於化學氣相沉積（CVD）的碳氧化合物，並容易導致絕緣材料在晶片銅導線上分離，IBM在2003年第一季逐步淡出Silk材質，並將低電介質材料轉向FSG。根據台灣IC設計業者表示，目前IBM FSG材質良率仍偏低，並以0.15與0.13微米並行調整良率，其低電介質係數仍在3以上。
台積電在低電介質材料上，則直接鎖定FSG材質，目前該公司0.13微米以下製程Low-K需求客戶採用FSG材質比重超過90％，同時台積電也在Fab 6的0.13微米製程生產線，調整低電介質係數介於2.5～2.7的FSGⅡ材質，包括Agere、Altera等部份客戶已導入FSGⅡ材質試產，並陸續獲得客戶認證通過。
台積電內部表示，IBM微電子事業部對北美無晶圓廠的IC設計公司動作積極，但主要仍集中在0.13微米鋁導線製程，在爭取低電介質需求的客戶方面，IBM仍面臨調整良率問題，台積電反而具備提早進入FSG市場，以較高良率與客戶認證數量居上風。
