三星（Samsung）計畫將以NAND Flash 取代目前傳統用微型硬碟裝置，從2006 年下半年開始，便發展以50奈米製程生產製造16 Gb的NAND Flash。三星電子日前表示，採用51奈米製程的16Gb NAND Flash已導入量產，該產品的厚度只有人類頭髮的二千分之一，而16Gb則是目前量產產品中容量最大者，相較於以55～57奈米製程為主流的其他競爭業者，三星電子在50奈米級製程的產品率先起跑。
而且其51奈米製程的產品，較原有60奈米級的產品，可提高60％左右的生產力，將有助於提高NAND Flash價格，改善三星電子半導體部門的收益。三星電子預估50奈米級NAND Flash明年將成為市場主流，至2010年為止，市場規模累積將達210美元。
據了解，NAND Flash是以Page為單位進行資料的讀寫，原有的60奈米級的產品是以2KB為基本單位來處理資料，而三星電子51奈米製程16Gb的產品則是以4KB為基本單位來進行資料處理，讀寫速度較60奈米級NAND Flash快上兩倍，若以該產品製作成32 GB的記憶卡時，將有儲存DVD級的電影20篇（約32小時），或是MP3檔案 8000首、英文報紙200年的份量。
由於目前NAND Flash大多用於數位相機、MP3 隨身聽、手機與PDA等行動產品，未來隨著16Gb NAND Flash推出後，可望進一步取代傳統筆記型電腦用的硬碟裝置，或是其他行動裝置所需的微型硬碟，屆時NAND Flash將威脅到2.5吋薄型硬碟的生存空間。
