英飛凌科技今日宣布，旗下氮化鎵功率元件CoolGaN e-mode HEMT 系列憑藉其高功率密度、同級最佳效率及降低系統成本等優勢，榮獲 2019年度Computex BC Award 類別獎。同時，英飛凌也是目前市場上唯一一家專注於高壓功率器件，涵蓋矽（Si）、碳化矽（SiC）和氮化鎵（GaN）材料的全方位供應商。
英飛凌CoolGaN e-mode HEMT 採用常閉式( norm-OFF) 概念，不僅讓設計人員容易導入，同時也實現快速開通和關斷。CoolGaN 開關具極低的柵極電荷及反向導通狀態下的優異動態性能，能夠進而大幅提高系統工作頻率，從而透過縮小儲能及能量轉換元件的總體尺寸，提高功率密度，在相同能效下的功率密度可達140 W / in3（3 kW LLC，效率 > 98％），在相同的轉換系統尺寸中達到幾乎三倍的輸出功率，換言之，可節省更多空間。CoolGaN e-mode HEMT 支援高頻運行的應用，包括：企業與資料中心伺服器、電信整流器、適配器、充電器和無線充電設施等。
