Rambus宣佈推出新一代行動產品適用的行動XDR記憶體架構。乃延續Rambus去年所發表的行動記憶體技術，能夠提供高頻寬且低功耗的記憶體架構，進而使裝置的功耗與效能充分滿足新一代行動產品的需求。
Rambus全球授權暨行銷資深副總裁Sharon Holt表示，行動XDR記憶體能夠在低功耗且符合成本效益的表現下實現高度的行動設計。此外，針對能與目前生產製造基礎架構相互結合的SoC和DRAM裝置，行動XDR架構可提供上述優點，進而降低風險並縮短上市時程。
行動XDR記憶體架構能使未來的行動記憶體平台達到各接腳4.3 Gbps的資料傳輸率，並發揮其能源效率。在最耗電的使用情況下，如此的效能可使SoC平台在單一行動XDR DRAM裝置中實現17GB/s以上的記憶體頻寬，同時將眾多行動產品的電池電力延長30分鐘以上。
行動XDR架構能夠減少接腳數並縮小介面，因此可大幅節省SoC晶片的成本。另外，大幅減少快速轉換至節能模式所耗費的有效電力，即能降低功耗。這使系統設計人員能夠將記憶體子系統的功耗降至最低，進而延長各種應用中的電池電力，滿足不論是簡單的語音傳輸，或是要求嚴苛的立體3D HD視訊等多媒體應用。
行動XDR記憶體架構使採用Rambus行動記憶體的關鍵技術：
．極低擺幅差動訊號（VLSD）：使用接地參照的雙向差動訊號處理技術，可針對需要大頻寬及絕佳電源效率的應用提供高效能、低功耗且符合成本效益的解決方案。
．FlexClocking架構：在SoC介面中運用不對稱分割並加入重要的校準與時脈電路，可大幅簡化DRAM介面的設計。
．進階電源狀態管理（APSM）：降低記憶體系統功耗，並提供各類低功耗及主動操作模式之間的快速轉換時間。
此外，Rambus的FlexPhase微線程（Microthreading）技術有助於達到行動XDR架構的絕佳電源效率。行動XDR記憶體架構的關鍵元件包括行動XDR DRAM、行動XDR記憶體控制器PHY（MIO），以及行動XDR記憶體控制器（MXC）。行動XDR記憶體架構目前已提供授權。
