瑞薩電子宣佈將推出12款RMLV0416E、RMLV0414E及RMLV0408E系列先進低功率SRAM (Advanced Lower-Power(LP) SRAM)新產品，為瑞薩的旗艦SRAM (靜態隨機存取記憶體)。新款記憶體裝置具有4 Mb密度，並採用電路線寬僅110 nm(奈米)的精密製程技術。
上述即將推出之SRAM為全新系列的先進低功率SRAM，並提供與瑞薩現有採用150 nm製程之SRAM產品相同的高可靠性，包括無軟體錯誤及無閂鎖。這些產品可在標準電流2 μA(微安培)、25°C下達到低功率運作，適合用於以電池備份之裝置中的資料儲存。
瑞薩的低功率SRAM已在多種領域獲得廣泛的採用，包括工業、辦公室、通訊、汽車及消費性產品，該公司此類產品在2012年並擁有全球第一的市佔率。近來由於製造商系統已達到更高的效能與更先進的功能，SRAM已成為提升整體系統可靠性的重要因素。特別是用於儲存重要資訊如系統程式與帳單資料的SRAM，必須提供高水準的可靠性，因此焦點也特別放在降低因α輻射與宇宙中子輻射造成之軟體錯誤的方法。
在瑞薩的先進低功率SRAM架構中，記憶體單元中的每個記憶體節點皆附加實體電容器，因此對於軟體錯誤具有極高的耐受性。在發生軟體錯誤之後，一般的處理方法是在SRAM或製造商系統中納入內部錯誤修正碼(ECC)電路。但是此方法有其限制，在一些情況下，ECC的效能可能無法處理影響多個位元的錯誤。相較之下，先進低功率SRAM採用結構性方法以避免軟體本身發生錯誤。從目前大量生產之150 nm先進LP SRAM的系統軟體錯誤評估結果而言，實際上這些產品稱得上是無軟體錯誤。
另外，SRAM單元負載電晶體(P通道)為多晶矽TFT，且堆疊於矽基板上的N通道MOS電晶體頂端。因此，只有N通道電晶體會形成於矽基本之下。如此可確保記憶體區域中不會形成任何寄生閘流體，而且理論上將不可能產生閂鎖。
這些功能使先進低功率SRAM所達到的可靠性遠高於採用傳統記憶體單元結構的全CMOS類型產品。對於非常重視高水準可靠性的應用而言，例如工廠自動化設備、測量裝置、部署於智慧電網的設備以及運輸系統等，先進低功率SRAM將有助於進一步提高這類應用的效能與可靠性。
此外，先進低功率SRAM結合SRAM多晶矽TFT堆疊技術與堆疊式電容器技術以縮小單元尺寸。例如，110 nm先進低功率SRAM的單元大小相當於採用65 nm製程的全CMOS SRAM。
除上述產品外，瑞薩也將計劃加入8 Mb與64 Mb的110 nm產品以強化其110 nm SRAM產品陣容。
