ROHM推出一款小型高效的20V耐壓Nch MOSFET*1「RA1C030LD」，該產品非常適合用於穿戴式裝置、無線耳機等聽戴式裝置、智慧型手機等輕巧型裝置的開關應用。
近年來，隨著小型應用裝置朝向高性能化和多功能化方向發展，裝置內部所需的電量也呈增長趨勢，而電池尺寸的增加，也導致元件的安裝空間越來越少。此外，電池的尺寸增加也是有限制的，為了更有效利用有限的電池電量，就需要減少用電元件的功耗。
針對上述需求，開發易於小型化且採用特性優異的晶圓級晶片尺寸封裝的MOSFET已逐漸成為業界主流。ROHM更利用身為IC製造商的優勢，透過靈活運用IC製程，大幅降低過去Discrete元件製程中會增加的佈線電阻，成功開發出功耗更低的小型功率MOSFET。
新產品採用ROHM獨家IC製程的晶圓級晶片尺寸封裝*2DSN1006-3（1.0mm×0.6mm），實現小型化的同時更降低了功耗。
與相同封裝的市場競品相比，代表導通損耗和開關損耗之間關係的指標（導通電阻*3×Qgd*4）改善了約20%，達到業界頂級水準（1.0mm×0.6mm以下封裝產品之比較），非常有助縮減各種小型應用電路板上的元件占有面積，並進一步提高效率。
另外，也採用ROHM獨家封裝結構，使側壁有絕緣膜的保護（相同封裝的市場競品無絕緣膜）。在受到空間限制而必須以高密度進行元件安裝的小型應用中，使用此款新產品可降低因元件之間的接觸而導致的短路風險，將有助應用的安全運作。
