隨著無線標準和頻帶（frequency band）支援越來越多的應用，意法半導體推出更符合高性能和高整合度市場需求的STW81200 RF合成器。新款STW81200 RF合成器採用BiCMOS（SiGe）製造技術，單晶片整合寬頻電壓控制震盪器（voltage-controlled oscillators，VCO）、雙架構相位鎖定迴路（phase-locked-loop，PLL）內核、低雜訊穩壓器，以及符合各種RF要求的可編程硬體選項。
在基地台、無線電鏈接（radio link）、衛星、通訊、量測等應用中，系統的總體性能與RF合成器的相位雜訊（phase noise）密切相關。這些應用需要高整合度和最佳化的成本，同時又不能犧牲RF性能。在滿足這些要求過程中，作為市場上靈活度最高的RF合成器，STW81200可支援多頻多標準及軟體定義（software-defined）的50MHz到6GHzRF輸出，同時提供-227 dBc/Hz正規化頻內相位雜訊層，當通訊載波為4.0GHz、頻率偏移1MHz時，電壓控制震盪器相位雜訊為-135 dBc/Hz，相位雜訊層為-160 dBc/Hz。
5V、3.6V或3.0V非穩壓單電源讓STW81200經最佳化的功耗和性能使其應用範圍從傳統市電供電基礎設施擴至以電池供電的可攜式裝置。
已獲市場認同的STW8110x產品系列不斷演進，新RF合成器的性能和靈活度也越來越高，在同一電路板設計上可支援多頻和多RF標準。此外，更高的整合度和降低的材料成本有望為客戶節省更多資金。
STW81200的穩健設計符合RFRF基礎設施範例的要求。STW81200已進入量產。意法半導體現可提供採用6x6四邊扁平封裝的STW81200評估工具樣品。
