Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n通道器件,擴展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。該器件採用PowerPAK SO-8封裝,在20V額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與閘極極電荷乘積。
SiR440DP在4.5V閘極極驅動時最大導通電阻為2.0mΩ,在10V閘極極驅動時最大導通電阻為1.55mΩ。導通電阻與閘極極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中MOSFET的關鍵優值(FOM),在4.5V時為87。
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Vishay Intertechnology, Inc.推出一款新型20V n通道器件,擴展了其第三代TrenchFET功率MOSFET系列。該器件採用PowerPAK SO-8封裝,在20V額定電壓時具有業界最低導通電阻及導通電阻與閘極極電荷乘積。
SiR440DP在4.5V閘極極驅動時最大導通電阻為2.0mΩ,在10V閘極極驅動時最大導通電阻為1.55mΩ。導通電阻與閘極極電荷乘積是直流到直流轉換器應用中MOSFET的關鍵優值(FOM),在4.5V時為87。