德州儀器（TI）日前宣佈推出3款雙通道輸出閘極驅動器，可提升高密度隔離電源效率與可靠度，進一步擴大MOSFET驅動器產品陣營。
UCC27210與UCC27211是120 V啟動高側（high-side）與低側（low-side）雙通道輸出MOSFET驅動器，提供達4 A的輸出電流，且可消除驅動器輸入-10 V直流電（VDC）干擾。這兩款驅動器提供18 ns傳遞延遲（propagation delay），支援多重高頻率半橋及全橋電源拓樸。這些特性可為100 V突波電壓需求的電信、伺服器及工業電源設計提高效率與可靠度。
UCC27210與UCC27211的主要技術特性：
•20 V的4 A高側與低側驅動器（TTL與偽CMOS相容輸入版本），可驅動N通道高側與低側FET。
•0.9 Ω上拉（pull-up）及下拉（pull-down）電阻，可降低MOSFET轉換通過米勒平坦區（Miller Plateau）時的開關損耗。
•輸入支援-10 V直流電壓，不需整流二極體，可直接連接閘極驅動器變壓器。
針對二次側同步整流器MOSFET及IGBT電源開關，TI同時推出5 A雙通道低側驅動器。該UCC27524提供低脈衝失真與高效12 ns傳遞延遲，6 ns上升時間與1 ns輸出延遲比對。該驅動器支援4.5 V至18 V寬泛運作電壓，可彈性結合兩組輸出高達10 A的應用，如驅動馬達驅動系統等。
UCC27524的主要技術特性：
•支援高效率5 A峰值源極與汲極驅動器電流。支援4.5 V至18 V寬泛輸入。兩組輸出可並行以支援更高電流的驅動器。
•12 ns標準傳遞延遲，6 ns標準上升時間，兩個通道間僅1 ns標準輸出延遲比對。
•採用業界標準8接腳SOIC及PDIP封裝。
