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Littelfuse新款800V N溝道耗盡型MOSFET採用改進型SOT-223-2L封裝

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Littelfuse公司推出一款800V、100mA、45歐姆小功率N溝道耗盡型MOSFET新品CPC3981Z。

與標準SOT-223封裝相比,這款新產品的SOT-223-2L封裝移除中間引腳,將漏極與閘極之間的引腳間距,從1.386毫米增加到超過4毫米間距增加簡化寬輸入電壓電源的隔離管理,實現精巧的印刷電路板佈局。爬電距離的延長有利於開關模式電源(SMPS)或功率因數校正(PFC)啟動電路等更高電壓應用,設計人員因此可以避免昂貴的保形塗料或灌封。

CPC3981Z的主要區別在於其改進型SOT-223-2L封裝,使設計人員能夠利用小型分離式元件滿足更高電壓應用所需的延長爬電距離。CPC3981Z由於具有較大的爬電距離,提高電路的可靠性,並有助於節約成本。CPC3981Z的800V額定阻斷電壓使其符合工業、能源、電訊和LED照明等應用。

CPC3981Z耗盡型MOSFET產品提供卷帶包裝,客戶可通過Littelfuse全球各地的授權經銷商索取樣品。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

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關鍵字:MOSFET