英飛凌推出低頻應用的600V CoolMOS S7超接面MOSFET

英飛凌科技股份有限公司成功開發出滿足最高效率和品質要求的解決方案，針對MOSFET低頻應用推出600V CoolMOS S7系列產品，帶來優異的功率密度和能源效率。

CoolMOS S7系列產品的主要特點包括導通性能優化、熱阻改善以及高脈衝電流能力，並且具備最高品質標準。該元件適合的應用包括有源橋式整流器、逆變級、PLC、功率固態繼電器和固態斷路器等。此外，10mΩ CoolMOS S7 MOSFET是目前R_DS(on)最小的元件。

該產品系列專為低頻開關應用而開發，旨在降低它們的導通損耗，確保最快速的回應和最高的效率。CoolMOS S7裝置實現了比CoolMOS 7產品更低的R_DS(on) x A，因而能夠成功地抵銷開關損耗，實現更低的導通電阻和成本。對於高壓開關而言，CoolMOS S7產品擁有市面上最低的導通電阻（R_DS(on)）。

此外，10mΩ晶片採用創新的頂面冷卻QDPAK 封裝，22mΩ晶片採用先進的小型TO無引腳（TOLL）SMD封裝。這些MOSFET可助力實現經濟、簡化、精巧、模組化和高效的設計。設計出來的系統可以輕鬆滿足規範要求和能效認證標準（如適用於SMPS的Titanium 標準），也能滿足功率預算，減少零件數量和散熱墊需求，同時降低整體擁有成本（TCO）。

22mΩ 600V CoolMOS S7 裝置提供TO-leadless封裝和TO-220封裝，40mΩ和65mΩ裝置採用TO-leadless封裝。10mΩ CoolMOS S7 MOSFET將在2020年第四季上市。