英特爾（Intel）在夏威夷舉辦的「2026年VLSI技術與電路研討會上，首度公開其最新「Intel 18A-P」製程的關鍵進展，並在現場成功展示了全球首創的 300mm晶圓級氮化鎵與矽邏輯晶片（GaN+Si）單片整合技術。
這項技術利用異質材料的深度融合，打破傳統矽基晶片在高壓電源管理上的物理極限。英特爾 Foundry團隊成功在標準300mm矽晶圓上，將高效能的氮化鎵功率元件與包含約1,000個邏輯閘的矽數位控制方塊進行單片一體化整合。相較於傳統外接式電源模組，這項突破能讓AI晶片在單一硬體架構內實現極致高效、大規模的數位電源控制，大幅降低系統能耗。
此外，最新的18A-P製程更導入「Power Boost」雙接觸低電阻電晶體設計，在同等功耗下使運算效能提升9%，並利用材料與結構創新將晶片熱阻大幅降低了20%至40%，徹底解決了先進製程的散熱降頻痛點。
英特爾在此次VLSI峰會上展示的「減去法釕（Subtractive ruthenium）與空氣隙（Airgap）」互連技術，成功降低了35%的電容，也讓其在新一代封裝技術上展現了一定的實力。
