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英飛凌推出表面黏著 D2PAK 封裝650V IGBT 提供最高功率密度

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英飛凌科技股份有限公司擴展TRENCHSTOP 5薄晶圓技術產品組合,推出IGBT與全額定電流 40 A 二極體共同封裝於表面黏著 TO-263-3 外型 (也就是 D2PAK) ,最高達40 A的 650V IGBT。

全新的 TRENCHSTOP 5 IGBT 採用 D2PAK 封裝,可滿足自動化表面黏著組裝的電源裝置對於更高功率密度日益增加的需求。需要最高功率密度及效率的典型應用包括太陽能逆變器、不斷電系統 (UPS)、電池充電及能源儲存。

英飛凌的超薄 TRENCHSTOP 5 技術可在更小的晶片尺寸中提供更高的功率密度。因此,英飛凌業界首創將 40 A 650V IGBT 與 40 A 二極體共同置於 D2PAK 外殼中。相較於其他採用 D2PAK 的產品,新系列產品提供更高的額定值,優於市面上任何其他產品,且其他共同封裝解決方案僅提供 75% 的功率。

新裝置的高功率密度,可協助設計人員升級現有設計,開發新平台提升高達 25% 的高功率輸出,或減少同時使用的電源零件數量,進而讓設計更精巧。獨特的40A D2PAK 共同封裝,可作為取代表面黏著使用之 D3PAK 或 TO-247的替代方案,並容易焊接,實現快速可靠的組裝。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

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關鍵字:IGBT