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IR為感應加熱應用推出全新超高速1200 V IGBT

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國際整流器公司 (IR) 於昨(27)日,發表全新超高速溝道絕緣閘雙極電晶體 (IGBTs),從而優化感應加熱和共振開關應用,例如焊接與高功率整流。

該公司表示,全新1200 V IGBT元件利用IR的纖薄晶圓溝道技術,提供關鍵的性能效益,包括用來降低功率耗散和提升功率密度的低VCE (on) 及超高速開關。此外,新元件還包含一個1300 V重複峰壓額定值,增強可靠性。這些IGBT與低正向電壓高峰值電流軟順向回復二極體一起封裝,從而優化共振零電流開啟操作。

IR 亞太區銷售副總裁潘大偉表示,IR新型1200 V IGBT的可靠性極高,而且能夠提升功率密度及效能,是感應加熱和共振應用的理想之選。

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機
特別企劃半導體

稀土棋局下的台灣解方:從供應鏈韌性看關鍵礦物合作新契機

稀土與關鍵礦物已成全球科技競爭與經濟安全的重要戰略資源。面對供應鏈高度集中與地緣風險升高,台灣如何透過國際合作、技術替代、戰略儲備與城市採礦,建立自主且具韌性的關鍵礦物供應體系?

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關鍵字:IGBT