Diodes公司今日宣佈推出首款碳化矽（SiC）蕭特基勢壘二極體（SBD）。產品組合包含DIODES DSCxxA065系列，共有十一項650V額定電壓（4A、6A、8A和10A）的產品，以及DIODES DSCxx120系列，共有八款1200V額定電壓（2A、5A和10A）產品。
這些寬帶隙SBD的優點包括可大幅提高效率和高溫可靠性，同時回應市場對降低系統執行成本並減少維護需求。這些裝置適用於AC-DC、DC-DC和DC-AC降壓變換器、光伏逆變器、不斷電系統和工業馬達驅動產品應用。此外，本系列裝置也適用於其他各種電路，例如功率因數校正用途的升壓轉換器。
這些SiC裝置擁有高效率效能，表現優於傳統矽晶型產品，能為電源供應器設計人員帶來空前產品效能優勢，例如：
低電容電荷（QC）可將切換損耗降至極低，進而提升高速切換產品應用的效率。適合用於功率密度具有較高、解決方案總尺寸較小的電路設計。
低順向電壓（VF）可進一步提高效率、降低功率損耗和營運成本。
減少散熱，有助於降低整個系統的散熱預算。
高突波電流能力可提升穩固性，實現較佳系統可靠性，而出色的熱效能還可降低建構成本。
本系列裝置提供三種封裝選項，包括表面黏著TO252-2（WX型）、通孔TO220AC（WX型）和ITO220AC（WX-NC型）。
