恆憶與三星電子共同開發相變化記憶體 (2009.06.26)

恆憶（Numonyx B.V.）與三星電子（Samsung Electronics Co.,Ltd）宣佈共同開發相變化記憶體（Phase Change Memory，PCM）產品的市場規格，此新一代記憶體技術可協助多功能手機及行動應用、嵌入…

革新快閃記憶體邁出下一步 (2008.11.05)

市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能，短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守，長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力（Scalability）、儲存覆寫次數耐久性（Endurance）和資料保存能力（Data Retention）的侷限，使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵。PCM、Racetrack、RRAM和MRAM等下一步非揮發性記憶體在技術上已有明顯進展，改善SSD儲存效能的解決方案也不斷推陳出新，Flash Memory大廠與研究單位正採取集中合作研發的投資模式，期盼進一步再造非揮發性記憶體技術應用高峰！…

<font color="#ff6600">Intel和ST共同推出PCM相變記憶體原型</font> (2008.02.21)

英特爾和意法半導體開始為客戶提供未來記憶體的原型樣品，此樣品採用創新的相變記憶體（Phase Change Memory,PCM）技術，因此可說是為記憶體產業劃下了一個重要的里程碑。這是市場上首次有具PCM功能的原型樣品能提供給客戶進行評估…