創新FDSOI能帶調製元件雙接地層Z2FET (2018.02.02)
本文介紹一個創新的依靠能帶調製方法的快速開關 Z2-FET DGP元件，該元件採用先進的FDSOI製造技術，具有超薄的UTBB，並探討在室溫取得的DC實驗結果。…
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Leti和意法攜手展示提高一個數量級超寬電壓範圍FD-SOI數位訊號處理器 (2014.03.03)
法國微電子研究機構CEA-Leti與意法半導體攜手展示了一個基於28奈米超薄體以及下埋氧化層（UTBB，ultra-thin body buried-oxide）FD-SOI技術的超寬電壓範圍（UWVR，ultra-wide-voltage…