Transphorm新款TOLT封裝形式的SuperGaN FET提供更靈活的熱管理 (2023.11.29)
Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後,推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET,新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐,為採用JEDEC標準(MO-332)TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵…
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Transphorm繼近期推出三款新型TOLL FET後,推出一款TOLT封裝形式的SuperGaN FET,新品TP65H070G4RS電晶體的導通電阻為72毫歐,為採用JEDEC標準(MO-332)TOLT封裝的頂部散熱型表面貼裝氮化鎵…
全球氮化鎵(GaN)功率半導體供應商Transphorm公司近日推出三款TOLL封裝的SuperGaN FET,導通電阻分別為35、50和72毫歐。Transphorm的TOLL封裝配置採用行業標準,可作為任何使用e-mode TOLL方案…
Transphorm推出三款採用TOLL封裝的SuperGaN氮化鎵場效應管(FET),導通電阻分別為35、50和72毫歐姆。Transphorm的TOLL封裝配置符合業界標準,意即SuperGaN TOLL FET可直接替代任何E模式TO…
開關元件的功耗降低可減少散熱,較低的諧波內容僅需較少的濾波且 EMI 明顯降低。…
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