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搜尋「NAND」,共 1737

AI晶片供應鏈的在地化,正從GPU與伺服器進一步延伸至高頻寬記憶體(HBM)。SK hynix於美國印第安納州West Lafayette正式啟動先進封裝基地,投資逾40億美元,規畫2029年下半年開始量產下一代HBM,並且明確將HBM4E

imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,提供imec前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展需求。

AI PC的競爭常被濃縮成一個數字:NPU有多少TOPS。然而,一部真正可用的AI PC,從來不是把一顆NPU放進既有筆電就完成。

AI、高效能運算(HPC)與先進製程持續推升電子級化學品需求,台塑進一步將石化原料優勢延伸至半導體關鍵材料。台塑宣布與日本大賽璐(Daicel Corporation)合資成立「台塑大賽璐精密化學」,鎖定半導體製程使用的電子級光阻稀釋劑,預

imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,同時提供imec的前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展的需求。

受惠於消費性應用需求下修及高基期作用,根據TrendForce最新記憶體價格調查,2026年Q3整體DRAM格局持續極度緊阿,但合約價漲幅收斂,預計將季增13-18%。 其中NAND Flash主要需求,仍由AI推論與大型資料中心建置支撐。

隨著生成式AI快速從雲端向邊緣端延伸,邊緣推論的工作負載正大幅改變個人電腦的儲存需求。慧榮科技(Silicon Motion)於COMPUTEX 2026大展中,聚焦邊緣AI、實體AI與AI工廠等應用,展示了一系列尖端儲存創新技術。其中,專

Gartner發布最新半導體市場預測報告,指出在全球AI運算、資料中心網路與電源需求的瘋狂拉動下,2026年全球半導體總營收將首次突破1.3兆美元大關,迎來近二十年來最強勁的增長週期。然而,這波歷史性紅利的背後,正伴隨著極端結構性失衡所引發

基於2025年下半年開始,ASIC和AI推論應用發展,分別帶動HBM3e、DDR5等需求,促使DRAM(動態隨機存取記憶體)供需缺口持續擴大,並推升整體DRAM利潤率。除了大廠積極擴充產能,期待能在2027年上修供給量外,也不忘持續開發新品

SK hynix 發布 2026 年市場展望,指出隨著生成式 AI、資料中心與HPC需求持續升溫,以 HBM(高頻寬記憶體)為核心的先進記憶體產品,將成為驅動產業成長的關鍵動能,並有機會引領新一波AI記憶體超週期。 SK hynix 指出,

隨著半導體邁向更小製程節點、3D堆疊與先進封裝設計,晶圓幾何形貌的微小差異,已成為影響良率與性能的關鍵變因。晶片設計愈複雜,材料疊層愈多,製程整合挑戰也隨之放大,在混合接合、晶背供電與高堆疊NAND等先進技術導入下,僅有奈米級的翹曲或高度偏