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搜尋「Multi-Die」,共 32

隨著半導體製程邁向先進節點與多晶粒(Multi-die)架構,晶片複雜度急劇增加。訊號、電源、熱完整性以及電磁效應等物理挑戰,已成為制約次世代晶片效能的關鍵因子。為解決傳統EDA流程因分階段模擬而導致的過度設計與時程延宕,新思科技(Syno

在過去近六十年的時間裡,半導體產業的發展軌跡幾乎完全由摩爾定律所定義,即積體電路上可容納的電晶體數目,約每18至24個月便會增加一倍,帶來處理器效能的翻倍成長與成本的相對下降。

隨著高密度封裝和熱管理技術的進步,我們將看到更高效、更可靠的高功率元件應用於各不同產業,推動技術的持續演進。在這個挑戰與機遇並存的時代,持續的研發投入與技術創新將成為決勝關鍵。

神盾集團進軍AI推論晶片市場,計劃以先進的3奈米製程量產首款產品,並預期在2026年底推出2奈米製程的升級版。 隨著生成式AI和大型語言模型的快速發展,AI推論市場正迎來前所未有的機遇。根據市場研究機構的預測,未來幾年,AI推論應用的市場規

西門子數位化工業軟體宣佈與台積電深化合作,展開一系列新技術認證與協作,多項西門子 EDA 產品成功獲得台積電的最新製程技術認證。 台積電設計基礎架構管理部門負責人 Dan Kochpatcharin 表示:「台積電與包括西門子在地的設計生態

基於高階晶片需求隨著行動裝置功能提升而大幅提升,唯有異質整合才能讓晶片兼具輕薄短小與散熱、降低成本。經濟部技術處補助工研院投入創新技術開發,在2022年SEMICON JAPAN展中,展出「封裝天線(Antenna-in-Package;A

隨著市場對於更小巧、更節能和更高效能的IC需求日益提升,IC設計界也面臨著嚴苛挑戰。西門子數位化工業軟體更在近日推出Tessent Multi-die軟體解決方案,協助客戶加快和簡化基於2.5D和3D架構的新一代複雜多晶粒設計的積體電路(I

英特爾首次詳盡揭露其製程與封裝技術的最新路線規劃,並宣布一系列基礎創新,為2025年及其之後的產品注入動力。除了首次發表全新電晶體架構RibbonFET外,尚有稱作PowerVia之業界首款背部供電的方案。英特爾亦強調迅速轉往下一世代EUV

隨著元件尺寸越接近摩爾定律物理極限,晶片微縮的難度就越高,要讓晶片設計保持小體積、高效能,除了持續發展先進製程,也要著手改進晶片架構(封裝),讓晶片堆疊從單層轉向多層...

除了提升運算效能,如何在有限的晶片體積內,實現更多的功能,是目前晶片製造商極欲突破的瓶頸。如今,這個挑戰已有了答案,由台積電與英特爾所主導的3D封裝技術即將量產,為異質整合帶來新的進展。