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搜尋「LDMOS」,共 73

意法半導體(STMicroelectronics;ST)和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作,並加強雙方的合作關係。 射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的

埃賦隆半導體(Ampleon)利用先進的LDMOS電晶體技術,推出B11G3338N80D推挽式3級全整合型Doherty射頻電晶體,該電晶體是GEN11 Macro驅動器系列的載體產品,涵蓋所有Sub-6GHz頻段。 這種高效的多頻段器件

意法半導體(STMicroelectronics)所推出的STPOWER LDMOS電晶體產品家族最近新增數款產品,該產品家族有三個不同的產品系列,皆可針對各種商用和工業用射頻功率放大器(PA)進行優化設計。 STPOWER LDMOS的產

降低能源消耗(energy consumption)為電信基礎設施的主要目標之一,其中每一點效率都至關重要。在多晶片模組中使用氮化鎵可在2.6 GHz頻率下將產品組合效率提高至 52%,比公司上一代模組高出8%。恩智浦半導體(NXP Sem

光電協進會(PIDA)指出,氮化鎵(GaN)將逐步取代基地台射頻功率放大器中的LDMOS。儘管LDMOS技術目前仍佔最大的營收部分,但為了要支撐次世代無線網路元件更高頻、更高效率,設備製造商和運營商張開雙臂的擁抱GaN元件,特別是在30 G

本文將對NCP 51530與業界標準的兩個元件進行比較。計算NCP 51530用於主動鉗位返馳式 (Active Clamp Flyback;ACF) USB PD轉換器中的損耗。然後給出NCP 51530對比兩個競爭元件用於ACF應用中的實際熱性能。緊接著把採用NCP 51530ACF板的能效資料與採用兩個競爭元件的ACF板能效資料進行比較。

埃賦隆半導體(Ampleon)推出基於200W BPC10M6X2S200 LDMOS的功率放大器模組——該模組適用於各種電漿照明、工業加熱、醫療、射頻烹飪和除霜應用。這款小巧輕便的pallet,其工作頻率範圍為423MHz至443MHz,

LED照明大廠Cree宣布,收購德國英飛凌射頻功率(RF Power)業務之資產,收購金額約3.45億歐元。這項交易將擴展Cree旗下Wolfspeed事業體在無線市場之商機。交易已經完成並於 3月 6 日生效。 出售RF Power業務後

埃賦隆半導體(Ampleon)宣佈其參加3月20日至3月22日在中國北京舉行的電子設計創新大會(EDI CON)的詳細資訊。 埃賦隆半導體所在的630號展位,位於中國國家會議中心的4樓,將會佈置一系列的熱門產品和演示。其中包括面向粒子加速器

MACOM和意法半導體(ST)宣佈一份矽上氮化鎵GaN 合作開發協議。據此協定,意法半導體為MACOM製造矽上氮化鎵射頻晶片。除了擴大MACOM之貨源外,該協議還授權意法半導體在手機、無線基地台和相關商用電信基礎建設之外的射頻市場製造、銷售

Mouser Electronics(貿澤電子)即日起開始供應NXP Semiconductors 的MRFX1K80H LDMOS電晶體。MRFX1K80H屬MRFX系列的射頻 (RF) MOSFET電晶體產品之一,採用最新的橫向擴散金屬

【德國慕尼黑訊】即將到來的 5G 網路具備了前所未見的規模、速度與複雜性,無論是大型或小型公司,其業務運作方式將隨之產生革命性的變化,為現有市場和新興市場帶來全新商機,同時也將讓家庭、城市、汽車及工業更佳智慧化、自動化,並且互連連網化。然而