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搜尋「IGBT模組」,共 63

人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎,並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電,正日益承受壓力。 為應對這些挑戰,產業正逐步轉向 800V 高壓直流 (HVDC) 架構。

近年來全球光儲系統(PV-ES)市場快速增長。光儲市場競爭加速,提高功率密度成為廠商得勝關鍵;英飛凌科技(Infineon)為逆變器及儲能系統製造商麥田能源提供功率半導體元件,共同推動綠色能源發展。英飛凌將為麥田能源提供 CoolSiC M

SEMIKRON-Danfoss和半導體製造商ROHM在開發SiC(碳化矽)功率模組方面,已有十多年的良好合作關係。此次,SEMIKRON-Danfoss向低功率領域推出的功率模組中,採用了ROHM新產品—1200V IGBT「RGA系列」

英飛凌科技股份有限公司近日發佈了採用EconoDUAL 3標準工業封裝的全新1700 V TRENCHSTOP IGBT7模組。憑藉這項全新的晶片技術,EconoDUAL 3模組可提供業界領先的900 A和750 A額定電流,進一步拓展逆變

在全球電動車與綠能趨勢的帶動下,化合物半導體(第三代半導體)宛如找到了自己的春天,開始在各個產業應用中竄出頭來,成為目前最火紅的功率半導體解決方案。本文特別專訪了美國領先的功率元件供應商Power Integrations行銷副總裁Doug

東芝(Toshiba)推出兩款碳化矽(SiC)MOSFET雙模組:額定電壓為1200V、額定漏極電流為600A的MG600Q2YMS3;額定電壓為1700V、額定漏極電流為400A的MG400V2YMS3。此為東芝首款具有此類電壓等級的產品

中美矽晶集團積極發展化合物半導體,如碳化矽(SiC)、氮化鎵(GaN)、砷化鎵(GaAs)、鉭酸鋰及鈮酸鋰等。在本屆的國際光電大展中,中美矽晶集團攜手旗下半導體子公司環球晶圓及轉投資事業。包括宏捷科技、朋程科技、兆遠科技,於化合物半導體專區

現今系統方案在電力電子和半導體市場上漸受重視,英飛凌科技推出一個經過測試的工業參考設計該參考設計是一個通用的馬達驅動器,額定功率為22千瓦,可直接在380至480伏的三相電網上運行。該設計可以完全重覆用於客製系統設計,並讓客戶可在實際運作條

英飛凌科技宣布擴展其EiceDRIVER產品組合,推出新款具備整合式導熱片的24V雙通道低壓閘極驅動器,能以高切換頻率及最高峰值輸出電流運作,且具備啟用功能。此閘極驅動器適用於切換頻率較高的應用,例如功因校正、同步整流,也可用在並聯MOSF

英飛凌科技旗下1200V CoolSiC MOSFET模組系列新添62mm工業標準模組封裝產品。62mm封裝之產品採用半橋拓撲設計及溝槽式晶片技術,已受到業界的肯定。此封裝為碳化矽打開了250kW以上(此為矽基IGBT技術在62mm封裝的功

強固性及可靠性決定了模組在嚴峻應用環境中的使用壽命。尤其是暴露於硫化氫(H2S)的環境,對於電子元件的使用壽命更有嚴重的影響。為解決此項威脅,英飛凌科技開發了一項全新的防護功能,推出搭載TRENCHSTOP IGBT4晶片組的EconoPA

全球能源需求持續成長,推動因素包括工業、交通運輸及民用的電氣化,以及用電設備數量的增長,因此也提升了對於高效率功率半導體的需求。這些半導體用於發電、輸電及用電的所有環境,能夠有效率地管理設備、機器與系統。產業分析機構 IHS Markit