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搜尋「IEDT」,共 2

凌力爾特( Linear)發表0V至18V理想二極體控制器LTC4352。此元件能達到多重電源低損耗ORing ,並對供應電壓具備最低的干擾。LTC4352可穩壓橫跨於外部N通道MOSFET的順向壓降,以於diode-OR應用中確保和緩的電

凌力爾特( Linear)發表單一高壓理想二極體控制器LTC4358,其採用內部5A MOSFET,以簡單、低損耗的替代方案取代高電流應用中之蕭特基二極體。此控制器及20m Ohm內部N通道MOSFET可展現低順向電壓二極體功能,於高電流應