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搜尋「HBT」,共 84

無線通訊技術即將從5G邁向6G,頻譜資源的開發已從毫米波(mmWave)進一步延伸至太赫茲(THz)頻段。太赫茲波通常定義為0.1至10THz之間的電磁波,其位於微波與紅外線之間,不僅具備極其寬廣的可用頻寬,還擁有獨特的穿透性與空間解析度。

本周IEEE國際電子會議(IEDM)上,比利時微電子研究中心(imec)利用一套蒙地卡羅(Monte Carlo)模型架構,首次展示如何透過微觀尺度的熱載子分佈來進行先進射頻元件的3D熱傳模擬,用於5G與6G無線傳輸應用。案例分析結果顯示,

透過整合深寬比捕捉(ART)技術與奈米脊型工程,愛美科成功在300mm矽基板上成長出砷化鎵或磷化銦鎵的異質接面雙極電晶體,實現5G毫米波頻段的功率放大應用。

根據TrendForce旗下拓墣產業研究院報告指出,由於現行射頻前端元件製造商依手機通訊元件的功能需求,逐漸以GaAs晶圓作為元件的製造材料,加上隨著5G布建逐步展開,射頻元件使用量較4G時代倍增,預料將帶動GaAs射頻元件市場於2020年

全球市場研究機構TrendForce與旗下拓墣產業研究院3/27於台大醫院國際會議中心101室,舉辦「3D 感測技術崛起:消費性電子的應用與商機」研討會。本次研討會邀請AIXTRON、高通、英特爾、德州儀器、微軟等大廠探討3D 感測技術發展

是德科技軟體和服務可協助三安集成加速完成HBT和pHEMT製程PDK的開發製作可靠、高功率的先進pHEMT及HBT元件,縮短產品上市時間。 是德科技(Keysight)日前宣佈與中國廈門三安集成簽署合作備忘錄(MoU),雙方將以是德科技先進

Microchip 公司(美國微芯科技)推出採用IEEE 802.11ac 超高資料速率Wi-Fi標準的新型SST11CP22 5 GHz 功率放大器模組 (PAM)。新型PAM在1.8%動態EVM(誤差向量振幅)、MCS9 80 MHz頻

瑞薩電子(RENESAS)日前宣佈推出新款SiGe:C異質接面電晶體NESG7030M04,可做為低雜訊放大電晶體用於無線區域網路系統、衛星無線電及類似應用。本裝置的製程採用全新開發的矽鍺:碳(SiGe:C)材料並達到低雜訊效能。 新款Si

Avago公司近日宣布,推出全新功率放大器模組(PAM),可延長GSM/EDGE通訊手機的通話時間。全新ACPM-7868 PAM與Qualcomm最新一代晶片組完全相容,支援線性四頻帶GSM/EDGE運作,為全球最廣泛採用的行動通訊標準進

安捷倫科技(Agilent)於日前宣佈,上海華虹NEC電子公司(Hua Hong NEC Electronics)已成功運用安捷倫的積體電路特性描述與分析程式 (IC-CAP) 軟體,開發出0.35和0.18微米射頻半導體元件適用的射頻元件

Avago(安華)日前宣佈推出10款新精簡型UMTS功率放大器模組(PAM, Power Amplifier Module)產品, 可以帶來更長的通話時間與電池使用壽命,並支援UMTS Band 1、2、4、5與8。 「在新推出的ACPM-

美商亞德諾(Analog Devices,ADI)上週五(1/22)宣佈,發表兩款新的中頻(IF)增益區塊放大器。 ADL5535和ADL5536增益區塊放大器具有由內部匹配的中頻增益區塊,該區塊結合最高等級的線性度和雜訊度效能,因此可提供

安捷倫科技(Agilent)於週二(12/22)宣佈,新一代高頻寬示波器因成功啟用採磷化銦(InP)技術的前端晶片組,而提供了突破性的功能。新款晶片組使安捷倫得以在2010上半年,推出類比頻寬高於16 GHz的示波器。 從事高速串列資料鏈路

ANADIGICS, Inc宣佈,三星已選擇ANADIGICS的兩款WCDMA功率放大器(PAs)用於其新型Omnia HD和Memoir 3G手機。ANADIGICS的AWT6224 3G功率放大器用於世界上第一款可提供高解晰影像錄製功能