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搜尋「Floating Gate」,共 58

3D NAND快閃記憶體的產品目前配有超過300層堆疊氧化層和字元線層,以滿足位元儲存能力方面的需求。imec正在開發兩項可在不犧牲記憶體運作和可靠度的情況下實現垂直間距微縮的關鍵技術:氣隙整合與電荷捕捉層分離。

愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制,以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。

英特爾(INTC-US)宣布和美光(MU-US)的閃存合作即將發生變化,雙方的合作會一直持續到 2019 年初,這個項目完成後,英特爾和美光將會正式分道揚鑣。 英特爾日前宣布,與美光的閃存合作將在2018年繼續研究第三代3D NAND的研發

台灣半導體產業協會(TSIA)今日於新竹舉辦2017 TSIA年會,今年由理事長台積電共同執行長魏哲家主持。而魏哲家在致詞時表示,台灣未來半導體業的機會主要將來自於人工智慧 (AI)應用,而挑戰則是來自於中國全力扶植的自有半導體業。 今年的

隨著物聯網的快速發展,使得各種系統與電子產品資料透過網路緊密相連,在使用者對資料安全與保護機制的高度重視下,激發相關晶片安全防護解決方案的強烈需求。著眼物聯網市場之發展趨勢,全球邏輯製程非揮發性記憶體技術開發及矽智財供應廠商力旺電子與亞洲以