突破記憶體密度瓶頸 CEA-Leti推出22奈米3D FeRAM (2026.06.16)
法國半導體研究機構CEA-Let日前於檀香山舉行的VLSI會議上,發表在22奈米製程節點上,利用創新的3D電容器架構展示了鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)。解決了長期限制FeRAM密度的瓶頸,使其能與揮發性記憶體競爭。 研究團隊透過垂直整合…
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法國半導體研究機構CEA-Let日前於檀香山舉行的VLSI會議上,發表在22奈米製程節點上,利用創新的3D電容器架構展示了鐵電隨機存取記憶體(FeRAM)。解決了長期限制FeRAM密度的瓶頸,使其能與揮發性記憶體競爭。 研究團隊透過垂直整合…
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