搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員
廣告
廣告
類別:
關鍵字:

搜尋「DUV」,共 78

隨著 2 奈米以下製程逐步逼近量產階段,High NA EUV(高數值孔徑極紫外光刻機)設備被視為延續摩爾定律的重要關鍵。然而,在技術突破的光環之下,產業界也開始討論一個更現實的問題:當導入門檻與投資規模再創新高,是否將進一步加速全球半導體

韓國半導體產業再度吹起擴張號角。根據報導,韓國兩大晶片製造商近期針對先進製程與記憶體產能展開大規模投資,帶動整體供應鏈期待升溫,形成一股向外擴散的產業活水。這不僅象徵南韓企業在地緣競爭與 AI 商機面前全力應戰,更可能改寫東亞半導體市場格局

在美國持續擴大晶片出口管制、荷蘭加強ASML設備出口限制的壓力下,中國大陸正將光刻機列為半導體產業「卡脖子」環節的首要突破點。2025年,中國光刻技術的進展,特別是193奈米ArF沉浸式DUV機種的開發,成為全球關注焦點。 根據產業消息,中

國研院日前公布第五屆「研發服務平台亮點成果獎」得主,其中特優獎由陽明交通大學電子研究所曾銘綸助理教授團隊奪得,研究題目為「半導體超穎介面與矽光子、紫外光電及生醫檢測之應用」,並獲頒獎金30萬元。此次成果的核心,在於善用國研院台灣半導體研究中

美光科技近日開始出貨採用1γ(1-gamma)製程節點的低功耗雙倍資料速率(LPDDR5X)記憶體認證樣品。1γ製程之所以能實現這些突破,關鍵在於美光採用了多項先進的半導體製造技術。這是美光首款應用極紫外光(EUV)微影技術的行動記憶體解決

艾司摩爾(ASML)與比利時微電子研究中心(imec)宣布,雙方已經簽署一項新的策略夥伴協議,聚焦研究與永續發展。 該協議年限五年,目標是透過集結ASML和imec各自的知識和專業,在兩大領域提供有價值的解決方案。首先,開發推進半導體產業的

隨著半導體技術邁向 2nm 及以下的節點,製程技術的每一步都成為推動摩爾定律延續的重要基石。在這其中,乾式光阻(dry resist)技術的出現,為解決極紫外光(EUV)微影製程中的解析度與良率挑戰提供了突破性解決方案。 科林研發(Lam

默克宣布將在日本靜岡廠區投資逾7,000萬歐元,興建一個先進材料開發中心,預計此項目將於2026年投入營運。此次投資總額超過1.2億歐元。新建的先進材料開發中心將以靜岡現有的圖形化製程卓越中心為基礎,專注於開發與製程需求相符、符合環境標準的

美國再度加強對中國的晶片出口限制,聲稱要阻礙中國發展先進武器和人工智慧的能力。新措施限制了對140多家中國企業的晶片和相關技術出口,並擴展至晶片製造設備和軟件。 美國商務部長雷蒙多表示,此舉是為了應對中國的軍事現代化,而中方則譴責美國「濫用

艾司摩爾(ASML)長年投注於永續經營,連續幾年受到肯定表揚。彰顯ASML在台長期針對環境永續、企業承諾和社會參與的不懈努力。ASML推動循環經濟不遺餘力,致力延長產品的生命週期,2010年至今,整新修復後再回到市場上的機台超過130台;公

經過兩年下跌,AP-SoC晶片組市場出貨量將在2024年年增9%。根據Counterpoint Research的報告,主要成長動力由於蘋果和高通旗艦機款從4-5奈米移轉到3奈米,先進製程是成為關鍵成長動能。台積電做為晶圓代工龍頭持續受惠。

Microchip推出MCP998x系列10款車規等級遠端溫度感測器。MCP998x系列為最大的車規等級多通道溫度感測器產品組合之一,可在較寬的工作溫度範圍內實現 1°C 的精度,該元件系列其中有5款感測器具備無法被軟體覆蓋或惡意禁用的關機

針對荷蘭政府近期撤銷部分2023年NXT:2050i及NXT:2100i微影系統之出口許可證,ASML發出聲明指出,將對少數位於中國的客戶產生影響,但不會對2023 年的財務前景產生重大影響。 ASML預期,當前出口許可證的撤銷或美國最新的

由於雷射具有高能量密度與聚焦性質,成為目前全球引領創新低碳先進製程的重要工具,工研院南分院也自2022~2023年逐步引進德國、立陶宛超快雷射源,合作打造研發創新與打樣中心。