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搜尋「Charge Trapping」,共 5

市場對於主流非揮發性記憶體、特別是NAND Flash獨立儲存應用仍有廣大需求動能,短期內市場對NAND Flash及SSD的發展規模漸趨保守,長期發展前景仍舊維持審慎樂觀。NAND Flash在奈米微縮可擴充能力(Scalability)、儲存覆寫次數耐久性(Endurance)和資料保存能力(Data Retention)的侷限,使其面臨技術上和經濟上必須革新的關鍵。PCM、Racetrack、RRAM和MRAM等下一步非揮發性記憶體在技術上已有明顯進展,改善SSD儲存效能的解決方案也不斷推陳出新,Flash Memory大廠與研究單位正採取集中合作研發的投資模式,期盼進一步再造非揮發性記憶體技術應用高峰!

純快閃記憶體解決方案供應商Spansion宣布計劃開發下一代數據儲存產品系列,MirrorBit ORNAND架構。以Spansion專有電荷捕獲儲存技術(charge trapping stroage technology)的新型Mirr

記憶體本身就具有通用與中介的性質,所以發展出來的各類記憶體元件,多能通用於不同系統之間。新一代的記憶體為了更通用之故,所發展的都是非揮發性的記憶體,這樣才能既做為系統隨機存取之用,又能組成各類的儲存裝置,例如嵌入在可攜式裝置中的儲存容量、彈性應用的記憶卡或固態硬碟等。

從類比微調應用中的位元級、一直到數據或代碼儲存的千位元等級,CMOS 相容的單一多晶片嵌入式 NVM 的應用範圍越來越廣。CMOS 的相容性設計,卻給工程師帶來必須克服保存和耐久性的挑戰,本文所介紹的一些機制和解決方案,可驗證出實驗結果與理論分析是趨於一致的。

手機和筆記型電腦儲存高容量多媒體影音資料的應用機會越來越高,主流非揮發性記憶體之一的NAND Flash市場空間也越來越廣。但由於當前全球經濟欲振乏力的陰影揮之不去,市場對短期內NAND Flash及固態硬碟(SSD)的營收規模預估漸趨保守