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搜尋「CMOS製程」,共 629

ams OSRAM 如何透過 ASIC 客製化、晶片層級創新(in-silicon innovation)與先進封裝技術,為工業與醫療應用提供兼具可靠性、高效率與高效能的感測解決方案。

當我們把光拉到晶片身邊,等於把系統的對話方式升級了一個層級。這不是「是否導入」的選擇題,而是「何時、在哪些節點先導入」的時間題。

當我們把光拉到晶片身邊,等於把系統的對話方式升級了一個層級。這不是「是否導入」的選擇題,而是「何時、在哪些節點先導入」的時間題。

近年來,光通訊不再僅限於光纖骨幹網路,而是逐步向半導體晶片與封裝層級下沉。這種「從雲端到邊緣、從資料中心到車用」的多元應用,正在重新定義光通訊的產業價值。

法國科學家團隊成功開發全球首款混合記憶體技術,突破了邊緣AI(Edge AI)裝置難以在本地同時進行高效「學習」與「推論」的技術瓶頸。這項發表於《自然?電子學》期刊的重大成果,為AI發展帶來新契機。 過去,用於AI推論的「憶阻器」(Memr

根據「Nature」網站報導,一項由人工智慧(AI)加速的矽光子慢光技術取得革命性進展,成功在標準矽光子平台上實現了單通道每秒 400 Gbps 的光傳輸速率,創下了該領域的最高紀錄。這項成果不僅突破了純矽材料的傳輸瓶頸,更為下一代1.6

光程研創(Artilux)與采鈺科技共同發表最新超穎透鏡(Metalens)技術。此次發表的超穎透鏡新技術採用全平面、超薄化的光學元件設計,不僅能精確控制光波,更可直接於12吋矽基板上製造超高精度奈米結構。光程研創已成功整合其核心鍺矽技術及

比利時微電子研究中心(imec)展示高品質的12吋晶圓矽基量子點自旋量子加工技術,元件在1Hz頻率下的平均電荷雜訊為0.6μeV/OHz,且數值達到統計顯著性。就雜訊表現而言,這些數值是目前在12吋晶圓相容製程中所取得的最低雜訊值。這麼低的

美光科技推出 16Gb DDR5 記憶體,奠基於1β 製程節點技術,美光 1β DDR5 DRAM 的內建系統功能速率可達 7,200 MT/s,目前已出貨給所有資料中心及 PC 客戶。美光 1β DDR5 記憶體採用先進高介電常數 CMO

USB4的高速穩定傳輸且可充電的特性,預期將成為各個電子設備裝置之間傳輸資料、影音和充電連接的主要趨勢。以全球獨家鍺矽(GeSi)光子技術聞名,並基於CMOS製程的SWIR光感測、光成像與光通訊技術商光程研創(Artilux)宣布,其USB

矽光子商機持續發酵,市調機構Yole預測,2021年的矽光子(裸晶)市場規模為1.52億美元,2027年可望攀升至9.27億美元,年複合成長率達36%。這些數據不難看出,矽光子的成長爆發力多麼驚人。

最終的光電融合是3D共封裝光學,即三維整合。可以毫不誇張地說,基於矽光子的光電子融合,將會是未來計算機系統和資訊網路的關鍵技術。