AI記憶體供應鏈重組 SK海力士在美建立HBM封裝基地 (2026.08.28)
AI晶片供應鏈的在地化，正從GPU與伺服器進一步延伸至高頻寬記憶體（HBM）。SK hynix於美國印第安納州West Lafayette正式啟動先進封裝基地，投資逾40億美元，規畫2029年下半年開始量產下一代HBM，並且明確將HBM4E…
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深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
台塑攜大賽璐攻半導體材料 光阻稀釋劑國產化瞄準先進製程 (2026.08.13)
AI、高效能運算（HPC）與先進製程持續推升電子級化學品需求，台塑進一步將石化原料優勢延伸至半導體關鍵材料。台塑宣布與日本大賽璐（Daicel Corporation）合資成立「台塑大賽璐精密化學」，鎖定半導體製程使用的電子級光阻稀釋劑，預…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
imec展示首款3D電荷耦合元件 鎖定AI記憶體應用 (2026.05.13)
在類似3D NAND的架構內製造電荷耦合元件（CCD）的可行性有助於推動具備高成本效益的高位元密度記憶體方案，以應對AI特定工作負載所面臨的記憶體牆挑戰。…
面對3D堆疊與混合接合挑戰 晶圓量測進入超高速時代 (2025.11.20)
隨著半導體邁向更小製程節點、3D堆疊與先進封裝設計，晶圓幾何形貌的微小差異，已成為影響良率與性能的關鍵變因。晶片設計愈複雜，材料疊層愈多，製程整合挑戰也隨之放大，在混合接合、晶背供電與高堆疊NAND等先進技術導入下，僅有奈米級的翹曲或高度偏…
應材研發新一代半導體製造系統 將大幅提升AI晶片效能 (2025.10.09)
迎接全球AI基礎建設熱潮，美商應用材料公司近日也發表最新半導體製造系統，將專注在3大關鍵領域，分別是環繞式閘極（GAA）、電晶體在內的前瞻邏輯製程、高頻寬記憶體（HBM）在內的高效能DRAM等。進而提升AI運算所需的先進邏輯與記憶體晶片效能…
美光：3D NAND技術可滿足高階AI推論需求 (2025.08.06)
隨著AI技術快速演進，資料中心儲存系統的需求正進入前所未見的高峰。從大型語言模型（LLM）訓練到即時推論應用，海量資料的生成、處理與存取對儲存基礎架構提出前所未有的挑戰。 首先，AI應用特別是在推論階段，對高吞吐量與低延遲的依賴極為強烈。企…
解鎖新一代3D NAND快閃記憶體的垂直間距微縮 (2025.07.15)
3D NAND快閃記憶體的產品目前配有超過300層堆疊氧化層和字元線層，以滿足位元儲存能力方面的需求。imec正在開發兩項可在不犧牲記憶體運作和可靠度的情況下實現垂直間距微縮的關鍵技術：氣隙整合與電荷捕捉層分離。…
創新3D緩衝記憶體 助力AI與機器學習 (2025.05.06)
imec的研究顯示，包含氧化銦鎵鋅（IGZO）傳導通道的3D整合式電荷耦合元件（CCD）記憶體是絕佳的潛力元件。…
應用材料新一代電子束系統技術加速晶片缺陷檢測 (2025.02.25)
電子束成像一直是重要的檢測工具，可看到光學技術無法看到的微小缺陷。應用材料公司推出新的缺陷複檢系統，幫助半導體製造商持續突破晶片微縮的極限。應材的SEMVision H20系統將電子束（eBeam）技術結合先進的AI影像辨識，能夠提供更精準…
科林研發新型導體蝕刻機台具備新穎電漿處理技術 (2025.02.25)
Lam Research科林研發推出先進的導體蝕刻機台 Akara ─ 突破創新電漿蝕刻領域的效能。Akara 具備新穎的電漿處理技術，可實現 3D 晶片製造所需的卓越蝕刻精度和效能，助力晶片製造商克服面臨的關鍵微縮挑戰。 新型 Akara…
SEMI：2025年將啟動18座新晶圓廠建設 (2025.01.08)
根據國際半導體產業協會（SEMI）最新發布的「全球晶圓廠預測報告」，預計 2025 年全球半導體產業將啟動 18 座新晶圓廠建設項目，其中包括3座200mm晶圓廠和15座300mm晶圓廠，大部分預計將於 2026年至2027年投產。 202…
GenAI時代需求高速資料處理效能 3D NAND技術將無可取代 (2024.12.16)
隨著生成式人工智慧（Generative AI, GenAI）與邊緣運算的快速發展，全球對高效能、高容量儲存技術的需求急速攀升。雖然GPU與DRAM常被視為推動AI發展的核心，3D NAND技術憑藉其優異的儲存密度、可靠性與能源效率，成為支…
AI運算方興未艾 3D DRAM技術成性能瓶頸 (2024.08.21)
HBM非常有未來發展性，特別是在人工智慧和高效能運算領域。隨著生成式AI和大語言模型的快速發展，對HBM的需求也在增加。主要的記憶體製造商正在積極擴展採用3D DRAM堆疊技術的HBM產能，以滿足市場需求。…
科林研發推出Lam Cryo 3.0低溫蝕刻技術 加速3D NAND在AI時代的微縮 (2024.08.06)
Lam Research 科林研發推出 Lam Cryo 3.0，這是該公司經過生產驗證的第三代低溫介電層蝕刻技術，擴大了在 3D NAND 快閃記憶體蝕刻領域的領先地位。隨著生成式人工智慧（AI）的普及不斷推動更大容量和更高效能記憶體的需…
Lam Research以Lam Cryo 3.0 低溫蝕刻技術加速實現3D NAND目標 (2024.08.06)
隨著生成式人工智慧（AI）普及推升更大容量和更高效能記憶體的需求，Lam Research科林研發推出第三代低溫介電層蝕刻技術Lam Cryo 3.0，已經過生產驗證，擴大在3D NAND快閃記憶體蝕刻領域的地位。Lam Cryo 3.0 …
從應用端看各類記憶體的機會與挑戰 (2024.07.02)
各類記憶體在不同領域也就各具優勢和挑戰。隨著技術的進步和應用需求的多樣化，記憶體技術將向更高性能、更低功耗和更大容量的方向發展，也會有各類同質或異質性記憶體整合的平台，來提供更加完善的解決方案。…
記憶體應用發展的關鍵指標 (2024.07.01)
記憶體發展軌跡是隨著越來越龐大的運算與感測功能而亦步亦趨，其應用發展的關鍵指標就會以容量、速度為重點來觀察。當容量與速度越來越大、越來越快，可靠度也是未來發展的關鍵指標。…
工研院探討生成式AI驅動半導體產業 矽光子與先進封裝成關鍵 (2024.06.21)
在工研院連續舉辦兩天的「生成式AI驅動科技產業創新與機遇系列研討會」第二天（20日）場次，同樣由產學專家深度剖析生成式AI帶來的半導體產業機會，共涵蓋IC設計、製造到封裝各階段，協助業者掌握晶片設計、製造與封裝的最新進展，並指出矽光子與先進…