鎧俠與SanDisk攜手突破3D快閃記憶體技術 NAND速度達4.8Gb/s (2025.02.20)
Kioxia Corporation（鎧俠）與SanDisk近日共同宣布，在3D快閃記憶體技術上取得重大突破，推出業界領先的技術，不僅實現了4.8Gb/s的NAND介面速度，更在功耗和密度方面表現卓越。 這項創新技術於ISSCC 2025（…
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鎧俠推出全新第八代 BiCS FLASH技術的2Tb QLC樣品 (2024.07.03)
鎧俠公司（Kioxia）宣布第八代2Tb四層單元（Quad-Level-Cell；QLC）樣品開始供貨BiCS FLASH 3D快閃記憶體技術。這款2Tb QLC設備將儲存設備提升到高容量，將推動包括AI在內的多個應用領域成長。 Kioxi…
全球首款浸沒式液冷SSD 建興儲存科技鎖定AI運算資料中心 (2023.08.07)
近年來人工智慧（AI）熱度持續延燒，資料中心成為全新的運算單位。為了滿足現今大規模資料中心的嚴苛要求，鎧俠（KIOXIA）子公司建興儲存科技推出全球第一款支援浸沒式冷卻保固5年的ER3系列企業級SATA SSD產品。ER3系列具有高可靠性和…
Kioxia新一代UFS Ver. 4.0裝置優化內置儲存傳送速率 (2023.06.01)
為持續推進通用快閃記憶體存儲技術（UFS）發展，Kioxia推出新一代UFS Ver. 4.0 嵌入式快閃記憶體存放裝置，採用小型封裝，可提供快速的內置儲存傳送速率，並針對各種下一代行動應用程式進行優化，包括先進的智慧型手機。Kioxia …
鎧俠新一代BG6系列SSD搭載第六代BiCS FLASH 3D快閃記憶體 (2023.05.23)
鎧俠（KIOXIA）宣布KIOXIA BG6系列將加入其PCIe 4.0固態硬碟（SSD）產品系列 - 這是首款搭載全新第六代BiCS FLASH 3D快閃記憶體的產品，其性能相較於前一代產品提升將近1.7倍。 強大且小巧的KIOXIA B…
鎧俠和Western Digital宣布最新3D快閃記憶體 達218層具四平面 (2023.03.31)
鎧俠公司 (Kioxia ) 和Western Digital 公司宣布最新 3D 快閃記憶體技術資訊，展示持續創新。該 3D 快閃記憶體採用先進的縮放和晶圓鍵合技術，提供卓越的容量、性能和可靠性，適合滿足廣泛市場領域呈指數級增長的資料需求…
宇瞻旗下ZADAK推出TWSG4S PCIe Gen4 x4固態硬碟 (2022.05.23)
宇瞻科技近年來積極布局電競市場，旗下的電競品牌ZADAK於本月推出最新的TWSG4S PCIe Gen4 x4固態硬碟，以7,400 / 7,000 MB/s的極致效能，傲視群雄超越同級PCIe Gen4 SSD競品。TWSG4S提供超薄石…
宇瞻推出AS2280Q4U M.2 PCIe固態硬碟 滿足高速運算需求 (2022.05.04)
宇瞻科技近期推出專為影音創作者及頂級遊戲玩家打造的AS2280Q4U M.2 PCIe固態硬碟，此款產品採用PCIe Gen4 x4最新極速介面，以7,400 / 7,000 MB/s的領先效能，再創PCIe Gen4 SSD的速度巔峰。 …
鎧俠與WD共同投資日本工廠 增建快閃記憶體製造設施 (2022.04.18)
產品數位化趨勢加速推動對於記憶體製造應用的需求，鎧俠株式會社(Kioxia)和Western Digital繼20年策略合資夥伴關係，再邁向一重要里程碑，兩家公司簽訂正式協議，將在鎧俠位於日本三重縣的四日市工廠共同投資Fab7 (Y7)製造…
Western Digital與鎧俠共推第六代126層3D快閃記憶體 (2021.02.25)
Western Digital與鎧俠株式會社（Kioxia），今日共同宣布完成第六代162層的3D快閃記憶體（BiCS6）技術開發，為雙方20年的合作關係立下一個全新里程碑。 第六代3D快閃記憶體擁有超越傳統八維堆疊儲存通孔陣列的先進架構，…
Marvell助Toshiba Memory推出NVMe-oF乙太網路SSD (2019.08.14)
Marvell今日宣佈擴展其NVMe over Fabrics(NVMe-oF)產品組合。這些突破性解決方案包括使用Marvell NVMe-oF SSD轉換控制器的Toshiba Memory原生NVMe-oF乙太網路SSD，是可以直連乙…
東芝記憶體和Western Digital投資日本快閃記憶體工廠 (2019.05.20)
東芝記憶體株式會社和Western Digital已經達成正式協定，共同投資東芝記憶體目前正在日本岩手縣北上市建造的“K1”製造廠。 K1工廠將生產3D快閃記憶體，以支援資料中心、智慧型手機和自動駕駛汽車等應用不斷成長的儲存需求。K1工廠的…
東芝推出採用96層3D快閃記憶體的1TB單一封裝PCIe Gen3 x4L SSD (2019.01.14)
東芝記憶體株式會社(Toshiba Memory Corporation)推出BG4系列，該新系列單一封裝NVMe SSD儲存容量高達1,024GB，在單一封裝中嵌入創新性96層3D快閃記憶體和全新控制器。 該新系列單一封裝SSD採用PCI…
美光攜手多家影像監控解決方案品牌 推廣監控級邊緣儲存 (2018.04.12)
美光科技公司推出128GB與256GB容量的邊緣儲存microSD卡解決方案，並與多家影像監控解決方案領導品牌攜手，推廣監控級邊緣儲存。新推出的解決方案是採用美光64層3D TLC NAND技術，可以更小尺寸提供更大容量，攝影機本身可儲存長…
東芝推出64層3D快閃記憶體的增強型資料中心SSD (2018.03.22)
東芝記憶體株式會社推出其具備多種外形尺寸的NVM Express (NVMe)和SATA資料中心固態硬碟(SSD)最新系列，為雲端資料中心提供可靠的效能和可靠性，同時降低了NoSQL資料庫、巨量資料分析和串流媒體等讀取密集型應用程式的工作功…
全新製程容量大躍進 達明電子新品PC100 NVMe SSD亮相FMS峰會 (2017.08.09)
一年一度的全球電子盛會Flash memory summit 於美國Santa Clara Convention Center舉行，企業用固態硬碟廠商達明電子與Microsemi於AB館攤位213展出，廣明光電旗下達明電子TECHMAN S…
Toshiba/WD攜手共拓3D NAND新時代 (2016.07.15)
日本半導體製造商Toshiba（東芝）與電腦硬碟大廠Western Digital（威騰電子）共同慶祝日本三重縣四日市新設半導體二廠的開幕儀式。 由於Flash Memory（快閃記憶體）在智慧型手機、SSD（固態硬碟），以及其他應用程式的…
東芝購地興建半導體生產新工廠 (2016.02.04)
東芝公司(Toshiba)收購一個面積為15萬平方公尺的土地，來為其專有3D快閃記憶體BiCS FLASH未來的擴大生產做準備，該地毗鄰公司位於三重縣四日市的記憶體生產基地。該地與這一記憶體生產基地的東部和北部毗連，將耗資大約30億日圓。 …