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搜尋「2D NAND」,共 73

imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,提供imec前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展需求。

imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,同時提供imec的前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展的需求。

3D NAND快閃記憶體的產品目前配有超過300層堆疊氧化層和字元線層,以滿足位元儲存能力方面的需求。imec正在開發兩項可在不犧牲記憶體運作和可靠度的情況下實現垂直間距微縮的關鍵技術:氣隙整合與電荷捕捉層分離。

新產品導入代理商貿澤電子(Mouser Electronics)即日起供貨Microchip Technology的SAM9X70超低功率微處理器(MPU)。SAM9X70系列MPU結合高效能和低功耗,以及低系統成本和高價值,具備一系列令人

此篇訪談中,比利時微電子研究中心(imec)先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點,聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。

基於現今國內外半導體持續朝先進製程發展,晶片製造商也利用電子束技術來識別和描述無法用傳統光學系統辨識的小缺陷。應用材料公司今(19)日發表其突破性「冷場發射」(cold field emission, CFE)的電子束(eBeam)成像技術

由於高通膨壓力持續使全球經濟疲弱,各消費應用需求自第二季起持續下修,預估至年底都將不見起色。儘管伺服器需求雖穩,卻也進入庫存調節階段,使NAND Flash市場供過於求態勢日益嚴重。 據TrendForce調查,由於賣方不再堅持固守價格跌幅

應用材料公司發布獨特的電子束 (eBeam) 量測系統,提供大量元件上、跨晶圓和穿透多層結構進行圖形量測與控制的新攻略。 先進晶片是一層一層建構起來的,其過程中數十億個結構的每一個都必須被完美地圖案化 (patterned) 和對準,才能製

根據TrendForce旗下半導體研究處表示,受限於上游台積電(TSMC)與聯電(UMC)等晶圓代工廠產能滿載,及下游封測產能緊缺,包含Phison與Silicon Motion等多間NAND Flash控制器廠商無法因應客戶的加單需求。這

台灣的記憶體廠業在經過多年的洗鍊後,已經具備了挑戰領先者的實力,再加上5G與AI等新應用的助力,可能真的有機會變成產業的領先者。

愛美科技術總監Jan Van Houdt解釋FeFET運作機制,以及預測這項令人振奮的「新選手」會怎樣融入下一代記憶體的發展藍圖。