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搜尋「高耐壓」,共 80

AI基礎建設競賽逐漸從GPU算力延伸至電力轉換。隨著AI伺服器功率密度提高,傳統資料中心供電面臨轉換損耗、電流與散熱壓力,800V高壓直流(HVDC)、固態變壓器(SST)與寬能隙功率半導體逐漸形成新一代供電架構,SiC、GaN也從電動車與

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)的750V耐壓SiC MOSFET已被應用於AI伺服器電源BBU(備用電池單元)中。隨著生成式AI的普及,AI伺服器電源正加速朝向更高壓及HVDC(高壓直流供電)架構演進,在此背景下,ROHM的Si

臺灣四面環海,海洋不僅是重要的自然資源,也是科研、產業與國家安全的關鍵場域。為強化海洋科技自主研發能力,國研院海洋中心規劃建置的「重型海洋科儀自研自製基地」,今(16)日於高雄舉行新建工程上梁典禮,象徵臺灣在重型海洋探測設備研發與製造能量上

面對高速成長的人工智能資料中心、電動車、航空航太與高功率工業應用帶來的能源挑戰,GE Aerospace公司近日展示第四代碳化矽(SiC)MOSFET功率元件,成為推動新一波能源效率提升的重要技術里程碑。本次展示於紐約州的GE研究中心完成,

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)推出實現業界頂級SOA*1範圍的100V耐壓功率MOSFET「RS7P200BM」。該款產品採用5060尺寸(5.0mm×6.0mm)封裝,非常適用於48V電源AI伺服器的熱插拔電路*2,以及需要電

1.前言 近年來,全球耗電量逐年增加,在工業和交通運輸領域的成長尤為顯著。另外以化石燃料為基礎的火力發電和經濟活動所產生的CO2(二氧化碳)排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此為了實現零碳社會,努力提高能源利用效率並實現碳中和,已成為全球共

在電動車、5G及低軌衛星等應用快速擴張的背景下,對高效能功率半導體的需求與日俱增。為了突破碳化矽(SiC)晶圓加工中的製程瓶頸,國研院國儀中心與精密加工設備業者鼎極科技合作,成功開發出以紅外線奈秒雷射應用於碳化矽晶圓研磨的創新技術。這項技術

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)推出一款適用於600V高耐壓GaN HEMT驅動的絕緣閘極驅動器IC「BM6GD11BFJ-LB」。透過與本產品組合使用,可使GaN元件在高頻、高速開關過程中實現更穩定的驅動,有助馬達和伺服器電源等

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)已將TOLL(TO-LeadLess)封裝的650V耐壓GaN HEMT*1「GNP2070TD-Z」投入量產。TOLL封裝不僅體積小,散熱性能出色,還具有優異的電流容量和開關特性,因此在工業設備、

ROHM推出PWM控制方式FET外接型通用控制器IC,非常適用於工業設備的AC-DC電源。目前已有支援多種功率電晶體共4款新產品投入量產,包括低耐壓MOSFET驅動用「BD28C55FJ-LB」、中高耐壓MOSFET驅動用「BD28C54F

自從3年前(2022)成立了南部產業創新策略辦公室以來,工研院今(9)日再度於台南沙崙綠能科技示範場域舉辦「壯大南方產業 邁向永續淨零產業成果聯合特展及技術論壇」,匯集20位專家的產業洞見與趨勢分析。展現工研院在技術創新同時,還結合了南台灣

電動壓縮機是電動汽車熱管理的核心部件,對電驅動系統的溫度控制發揮著重要作用,本文重點探討逆變電路ASPM模組方案。

近年來隨著照明用小型電源和泵浦用馬達的性能提升,對於在應用中發揮開關作用的MOSFET小型化產品需求漸增。半導體製造商ROHM推出採用SOT-223-3小型封裝(6.50mm×7.00mm×1.66mm)的600V耐壓Super Junct

基於碳化矽(SiC)的功率半導體具有高效率、高功率密度、高耐壓和高可靠性等諸多優勢,為實現新應用和推進充電站技術創新創造了機會。近日,英飛凌科技宣佈與中國的新能源汽車充電市場相關企業英飛源 (INFY) 達成合作。英飛凌將為英飛源提供業內領

因應汽車的電動化和高性能化發展,汽車電子的應用越來越多,而控制該電子產品的電子控制單元(ECU)和周邊的感測器不可或缺。在感測類型產品中,霍爾IC能夠以非接觸方式進行位置偵測和馬達旋轉偵測,與機械式開關相比,具有不易磨損、體積小、可配備保護

本文敘述安森美在碳化矽領域從晶體到系統的全垂直整合供應鏈,並聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模組,以及對兩個碳化矽關鍵的供應鏈基板和磊晶epi進行分析。