Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，專為加速 AI 超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器（Solid-State Transformer, SST）而設計。新…
搜尋「高功率應用」，共 107 筆
利用運算放大器實現可調線性穩壓電源與訊號產生器 (2026.05.11)
運算放大器是一種高增益的電子元件，主要用來放大電壓訊號。它是一種差動放大器，輸出取決於兩個輸入端之間的電壓差。…
英飛凌CoolSiC MOSFET 750 V G2系列提供超低導通電阻和新型封裝 (2026.01.27)
為了提供汽車和工業電源應用超高系統效率和功率密度，英飛凌科技（Infineon）推出全新封裝CoolSiC MOSFET 750V G2系列。該系列現提供 Q-DPAK、D2PAK等多種封裝，產品組合覆蓋在25°C情況下的典型導通電阻(RD…
全球最新電子元件和工業自動化產品的授權代理商貿澤電子 (Mouser Electronics) 即日起供應Molex的PowerWize 3.40 mm互連元件。PowerWize連接器使用先進的COEUR插座技術，能充分提升電源效率，進而…
Littelfuse新一代汽車級柵極驅動器問世 強化SiC與IGBT控制效能 (2025.11.04)
隨著電動車（EV）動力總成與高效率電源系統快速發展，能精準控制功率半導體開關的柵極驅動器（Gate Driver）成為影響系統效能與可靠度的關鍵元件。Littelfuse 推出全新 IX4352NEAU 汽車級低壓側柵極驅動器，以滿足電動車…
ROHM與英飛凌攜手推進SiC功率元件封裝相容性 為客戶帶來更高靈活度 (2025.10.28)
半導體製造商 ROHM（總公司：日本京都市）與 Infineon Technologies AG（總公司：德國諾伊比貝格，以下簡稱 Infineon）針對建立 SiC 功率元件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方對應用於車載充電器、太陽能發電、儲…
格棋：以碳化矽為核心 打造台灣第三類半導體新戰略地位 (2025.09.02)
隨著電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求持續升溫，第三類半導體材料碳化矽（SiC）已成為能源轉換效率提升的關鍵核心。面對全球市場快速變化，格棋化合物半導體董事長張忠傑指出，雖然短期仍存在終端調整與庫存去化壓力，但碳化矽的長期前景無庸…
AI時代來了！Cadence帶你探索PCB設計與多物理場模擬的未來 (2025.08.04)
為了應對AI時代電子產品的複雜設計挑戰，CTIMES與Cadence於近日攜手舉辦了一場專為「AI世代PCB設計與多物理場模擬量身打造的」東西講座－科技沙龍。深入剖析現代的工程師如何運用AI技術來優化PCB佈局、提升效率；同時也說明如何透過…
Nexperia新款1200 V SiC 蕭特基二極體適用於高功率密集基礎設施 (2025.07.11)
Nexperia宣布推出兩款1200V、20A碳化矽（SiC）蕭特基二極體—PSC20120J與PSC20120L，專為高功率密集型基礎設施設計，目標應用涵蓋AI伺服器叢集、電信設備與太陽能逆變器等對能效要求極高的電源系統。 新產品採用具備…
國儀中心與鼎極科技聯手打造次世代功率半導體製程技術 (2025.06.24)
在電動車、5G及低軌衛星等應用快速擴張的背景下，對高效能功率半導體的需求與日俱增。為了突破碳化矽（SiC）晶圓加工中的製程瓶頸，國研院國儀中心與精密加工設備業者鼎極科技合作，成功開發出以紅外線奈秒雷射應用於碳化矽晶圓研磨的創新技術。這項技術…
適用于高頻功率應用的 IXD2012NTR 高壓側和低壓側柵極驅動器 (2025.05.14)
Littelfuse公司今日宣部推出高壓側和低壓側柵極驅動器IXD2012NTR，設計用於驅動兩個採用半橋配置的N溝道MOSFET或IGBT。該IXD2012NTR針對高頻電源應用進行了最佳化，具有卓越的開關性能和更高的設計靈活性。 IXD…
貿澤與Amphenol聯合出版全新電子書 探索連線在實現電動車和電動垂直起降飛行器的作用 (2025.02.21)
推動創新、領先業界的新產品導入 (NPI) 代理商™貿澤電子 (Mouser Electronics) 今天宣布與Amphenol合作推出全新電子書，深入介紹實現電動車 (e-mobility) 的連線和感測器技術。在《9 Experts …
電動車、5G、新能源：寬能隙元件大顯身手 (2025.02.10)
隨著運算需求不斷地提高，新興能源也同步崛起，傳統矽基半導體材料逐漸逼近其物理極限，而寬能隙半導體材料以其優越的性能，漸漸走入主流的電子系統設計之中。…
SiC MOSFET：意法半導體克服產業挑戰的顛覆性技術 (2024.11.11)
意法半導體中國及APeC車用SiC產品部門經理Gaetano Pignataro分享了他對碳化矽（SiC）市場的觀點、行業面臨的挑戰以及ST應對不斷增長需求的策略。…
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用…
用於快速評估三相馬達驅動設計的靈活平台 (2024.09.29)
為了實現環境目標並減少排放，世界各國政府紛紛推出立法，要求提高電動馬達的效率。…
開啟HVAC高效、靜音、節能的新時代 (2024.08.01)
文:本次要介紹的產品，是來自德州儀器（TI）一款業界首創的650V三相智慧功率模組（Intelligent Power Module；IPM）－「DRV7308」，適用於250W馬達驅動器應用。…
運用返馳轉換器的高功率應用設計 (2024.07.17)
本文闡述透過運行多個相位以及併用多個轉換器來提高返馳轉換器功率的可行性。此外，此種設定還能減少返馳式開關電源輸入側的傳導輻射。…
Nexperia汽車級肖特基二極體採用R2P DPAK 封裝 (2024.06.11)
Nexperia宣布650V、10A 碳化矽（SiC）肖特基二極管現已通過汽車認證PSC1065H-Q，並採用真正的雙引腳（R2P） DPAK （TO -252-2）封裝，適合於電動車和其他汽車的各種應用。此外，為了擴展 SiC 二極體產品…
英飛凌攜手Worksport 以氮化鎵降低可攜式發電站重量和成本 (2024.03.13)
英飛凌科技宣佈與 Worksport合作，共同利用氮化鎵（GaN）降低可攜式發電站的重量和成本。Worksport 將在其可攜式發電站轉換器中使用英飛凌的 GaN 功率半導體 GS-065-060-5-B-A 提高效能和功率密度。在採用英飛…