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搜尋「閘極」,共 1150

人工智慧的快速發展使得資料中心電力基礎設施面臨急遽攀升的供電需求。 傳統配電系統以 400V 交流母線為基礎,並需經過多個轉換級降至低壓伺服器供電,正日益承受壓力。 為應對這些挑戰,產業正逐步轉向 800V 高壓直流 (HVDC) 架構。

在半導體產業過去數十年的發展歷程中,摩爾定律始終是算力競賽的最高指引——只要縮小電晶體尺寸,就能換取更高的效能與更低的能耗。然而,隨著先進製程邁向 2 奈米、進入環繞式閘極(GAA)架構與晶背供電(如 A16)的極限領域,物理邊際效益顯著遞

imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,提供imec前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展需求。

imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,同時提供imec的前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展的需求。

生成式AI與高效能運算快速發展,正將資料中心的競爭焦點,從單純追求運算效能,推向更根本的電力問題。當單一機架需要承載更高功率,系統業者面臨的不只是供電量增加,還包括轉換損耗、散熱、空間、可靠度與建置成本同步上升。AI資料中心的下一場競賽,將

英飛凌科技股份有限公司(FSE代碼:IFX / OTCQX代碼:IFNNY)推出基於成熟可靠750V CoolSiC G2技術平台打造的碳化矽(SiC)雙向開關(BDS)。該產品採用垂直整合雙晶片共汲極設計,採用頂部散熱Q-DPAK封裝,將

隨著AI軟硬體不斷演進,記憶體的重要性如今已幾乎與算力並列,成為最重要的戰略資產。

本周2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)發表了有關鐵電記憶體研究的兩大進展,鎖定鐵電電容器與鐵電場效電晶體(FET)這兩者作為實現低電壓運作和高密度記憶體整合的潛力方案

於本周進行的2026年IEEE/JSAP超大規模積體電路(VLSI)技術與電路研討會上,比利時微電子研究中心(imec)攜手微影解決方案大廠艾司摩爾(ASML)與晶圓代工大廠台積電(TSMC),共同發表一套創新、穩健且可擴充的12吋晶圓整合

中央研究院應用科學研究中心呂宥蓉副研究員與日本東京大學童俊智教授團隊合作,成功開發以「氮化鉿(HfN)」表面電漿子閘極調控二維半導體發光的新型元件設計。 該研究大幅提升二維材料的光與物質交互作用,發光強度最高可比傳統矽閘極元件增強約46倍,

在COMPUTEX 2026前夕,高壓能效電源轉換整合晶片商Power Integrations今(1)日推出兩款專為800VDC AI資料中心打造的新款超薄緊湊型輔助電源供應器(PSU)參考設計,首度採用高度整合、耐1700V額定電壓的P

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)開發出結合PMIC*1「BD968xx-C系列」和DrMOS*2「BD96340MFF-C」的全新電源解決方案,適用於ADAS(先進駕駛輔助系統)、DMS(駕駛監控系統)和感測相機等車載應用SoC*

本文介紹如何使用拋負載保護電路來防止原型製作過程中出現意外的過壓/反向電壓情況。這種簡單的電路能夠在因一時疏忽而接錯電源時,保護電路不受損壞,進而避免數小時的重工時間。