英飛凌首款針對AI資料中心HVDC架構的24 kW SiC BBU參考設計問世 (2026.08.12)
英飛凌科技推出新款 24 kW 電池備份單元（BBU）DC-DC 參考設計。其專為AI資料中心的高壓直流母線架構而設計，是業內首款可直接在電池組與 800 V 直流母線之間運行的解決方案，採用了 650 V 和 1200 V 碳化矽（SiC…
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英飛凌CoolSiC MOSFET 750 V G2系列提供超低導通電阻和新型封裝 (2026.01.27)
為了提供汽車和工業電源應用超高系統效率和功率密度，英飛凌科技（Infineon）推出全新封裝CoolSiC MOSFET 750V G2系列。該系列現提供 Q-DPAK、D2PAK等多種封裝，產品組合覆蓋在25°C情況下的典型導通電阻(RD…
移相多相升壓架構重塑電源效率 (2026.01.23)
當系統需要的電壓高於可用電壓時，升壓轉換器是滿足此一需求的理想選擇。然而經典的標準升壓拓撲結構並非唯一方案，或許移相多相升壓轉換器是一種更優的解決方案。此類轉換器在高負載工況下效率更高，同時能降低輸入及輸出電容值。…
Vishay全新150W航太平面變壓器優化28V輸入正激變換器設計 (2025.10.30)
全球電子元件製造商Vishay近日推出全新150W低剖面航太平面變壓器系列SGTPL-28，專為航空電子、軍事與航太（AMS）應用中的28V輸入正激變換器設計。該系列產品不僅符合嚴苛的MIL-PRF-27與MIL-STD-981軍規標準，更…
Toshiba推出1200 V第三代碳化矽肖特基柵極二極體新產品 (2024.09.26)
先進半導體和儲存解決方案供應Toshiba公司在第三代碳化矽（SiC）肖特基柵極二極體（SBD）產品線中增添1200 V新產品「TRSxxx120Hx系列」，適合應用於光伏逆變器、電動汽車充電站，以及用於工業設備用的開關電源供應器、不斷電供…
運用返馳轉換器的高功率應用設計 (2024.07.17)
本文闡述透過運行多個相位以及併用多個轉換器來提高返馳轉換器功率的可行性。此外，此種設定還能減少返馳式開關電源輸入側的傳導輻射。…
Vishay推出新型第三代1200 V SiC肖特基二極體 (2024.07.01)
威世科技（Vishay Semiconductors）推出16款新型第三代1200 V碳化硅（SiC）肖特基二極體。Vishay器件採用混合PIN 肖特基（MPS）結構設計，具有高浪湧電流保護能力，低正向壓降、低電容電荷和低反向漏電流，有助…
貿澤擴展來自先進製造商的工業自動化產品系列 (2024.03.22)
在全球製造和自動化流程的數位化加速推動下，對於最新工業產品的需求持續成長。貿澤電子（Mouser Electronics）持續擴展其來自世界級製造商和解決方案交付合作夥伴的工業自動化產品系列，幫助客戶加快設計速度。 貿澤電子亞太區行銷暨企業…
英飛凌與安克成立創新應用中心 合作開發PD快充與節能方案 (2024.01.26)
隨著行動裝置、筆記型電腦和電池供電設備的不斷增加，消費者對提高充電功率和充電速度的需求與日俱增。英飛凌科技（infineon）近日宣佈與安克創新（Anker Innovations）在深圳聯合成立創新應用中心。該創新應用中心全面營運之後，將…
智慧宅重新定義「家」的樣子 (2024.01.24)
智慧住宅利用先進科技和自動化技術，實現安全、節能和便利的居住空間。 透過感應器、微控制器和智能設備，使家居系統能自動執行各種任務。 居住者可以遠程監控和控制家中的設備，無論他們身在何處。…
Bourns全新大功率電流檢測電阻為電力電子設計節省能源 (2023.12.19)
美商柏恩（Bourns）推出四款全新大功率、極低歐姆電流檢測電阻系列，可在電力電子設計中節省能源，同時最大化感測性能。該系列具有低溫度係數（TCR），可在廣泛的溫度範圍內提供操作精度和長期穩定性。其極低的電阻水準、低熱電磁勢（EMF）和大功…
高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET應用效能 (2023.08.01)
本文重點介紹Littelfuse提供2 kV以上的高壓分離式功率元件HV Si-MOSFET。…
英飛凌推出靜態開關用的全新工業級和車規級高壓超接面MOSFET (2023.07.31)
在靜態開關應用中，電源設計著重於得以降低導通損耗、優化熱性能、實現精簡輕便的系統設計；英飛凌科技（Infineon）正擴大其CoolMOS S7 系列高壓超接面（SJ）MOSFET 的產品陣容因應所需。該系列元件主要適用於開關電源（SMPS…
東芝推出最新一代650V SiC SBD可提高工業設備效率 (2023.07.13)
東芝（Toshiba）推出TRSxxx65H系列碳化矽（SiC）蕭特基二極體（SBD），這是該公司第三代也是最新一代SiC SBD晶片，用於工業設備開關電源、電動汽車充電站、光伏逆變器為應用領域。首批12款產品（全部為650V）已開始批量發…
宏正2023年營收續創新高 專業影音將受惠AI帶動成長 (2023.03.15)
看好全球經濟正逐漸擺脫疫情影響，產品線涵括資訊暨專業影音（Professional AV）設備連接管理、智慧製造及物聯網解決方案廠商宏正自動科技（ATEN），於今（15）日舉行「營運績效回顧與Q1新品布局」記者會，也說明宏正2022年合併營…
Microchip推出耐輻射電源管理元件 專為低地軌道太空應用設計 (2023.01.18)
低地球軌道（LEO，高度低於約1200英里）的商業化正在改變太空探索和衛星通信。要使衛星成功運行並到達預定軌道，必須選擇能夠承受惡劣太空環境的元件。 在現有耐輻射產品組合的基礎上，Microchip Technology Inc.今日宣佈推…
安森美推出TOLL封裝SiC MOSFET 小尺寸封裝高性能低損耗 (2022.05.11)
安森美（onsemi）， 在PCIM Europe展會發佈全球首款To-Leadless（TOLL）封裝的碳化矽（SiC）MOSFET。該電晶體滿足了對適合高功率密度設計的高性能開關元件迅速增長的需求。直到最近，SiC元件一直採用明顯需要更…
ST VIPerGaN50功率電源轉換器 優化效能與小型化 (2022.04.12)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）新款VIPerGaN50能簡化最高50W的單開關反激式功率電源轉換器設計，並整合一個650V氮化鎵（GaN）功率電晶體，優化電源的效能與小型化。 VIPerGaN50採用單開關拓撲…
SCHURTER新型雙極濾波器適用於EMI高負載 (2021.12.31)
SCHURTER集團FPBB RAIL：通過一種超級緊湊型的外殼可提供三種電路保護類型。新型雙極濾波器系列產品採用25mm的緊湊型外殼，因此需要的導軌安裝空間非常小。濾波器可提供保險絲座或斷路器兩種選擇。此外，所有型號均可整合過電壓保護元件…
意法半導體推出單晶片 GaN 閘極驅動器 (2021.09.10)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）新推出STDRIVEG600半橋閘極驅動器輸出電流大，上下橋輸出訊號傳播延遲為45ns，能夠驅動GaN加強型 FET 高頻開關。 STDRIVEG600的驅動電源電壓最高20V，還適用…