Microchip Technology今日宣布推出全新 3.3 kV HV-D3 mSiC 功率模組，專為加速 AI 超大規模資料中心與其他高電壓電力應用導入固態變壓器（Solid-State Transformer, SST）而設計。新…
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英飛凌推出新一代氮化鎵功率分立元件 (2024.11.26)
最新一代CoolGaN電晶體實現了現有平台的快速重新設計。新元件改進了性能指標，確保為重點應用帶來具有競爭力的切換性能。與主要同類產品和英飛凌之前的產品系列相比，CoolGaN 650 V G5電晶體輸出電容中儲存的能量（Eoss）降低了多…
Microchip IGBT 7功率元件組合優化永續、電動出行和資料中心應用設計 (2024.11.13)
因應電力電子系統設計，功率元件不斷發展。Microchip推出採用不同封裝、支援多種拓撲結構及電流和電壓範圍的IGBT 7元件組合，具有更高的功率容量、更低的功率損耗和緊湊的元件尺寸，旨在滿足永續、電動汽車和資料中心等高增長細分市場的需求。…
電源模組在過渡到48V 區域架構提供決定性優勢 (2024.02.06)
xEV應用的48V電源架構、zonal架構、模組化方法、以及48V電源架構的電氣化挑戰。…
英飛凌推出950 V CoolMOS PFD7系列 大幅提高功率密度 (2022.11.09)
英飛凌推出全新CoolMOS PFD7高壓MOSFET系列，為950 V超接面（SJ）技術樹立新標竿。全新950 V系列具有出色的效能與易用性，採用整合的快速二極體，確保元件堅固耐用，同時降低了BOM（物料清單）成本。 新產品專為超高功率密…
GaN將在資料伺服器中挑起效率大樑 (2022.08.26)
GaN具有獨特的優勢，提供卓越的性能和效率，並徹底改變數據中心的配電和轉換、節能、減少對冷卻系統的需求，並最終使數據中心更具成本效益和可擴展性。…
Qorvo推出750V SiC FET 封裝D2PAK-7L提供更大靈活性 (2022.07.27)
Qorvo今日宣佈推出採用表面貼裝D2PAK-7L封裝的七款750V碳化矽（SiC）FET，借助此封裝選項，Qorvo SiC FET可為車載充電器、軟切換DC/DC轉換器、電池充電（快速DC和工業）以及IT/伺服器電源等快速增長應用量身客…
英飛凌推出1700 V TRENCHSTOP IGBT7的EconoDUAL 3模組 (2022.05.31)
英飛凌科技股份有限公司近日發佈了採用EconoDUAL 3標準工業封裝的全新1700 V TRENCHSTOP IGBT7模組。憑藉這項全新的晶片技術，EconoDUAL 3模組可提供業界領先的900 A和750 A額定電流，進一步拓展逆變…
TI整合式變壓器模組技術 助電動車增加行駛時間 (2021.09.30)
德州儀器 (TI) 最小、最準確的 1.5-W 隔離式 DC/DC 偏壓電源模組。UCC14240-Q1 使用專利整合式變壓器模組技術，讓設計人員能將電源解決方案尺寸減半，以在電動車 (EV)、混合動力汽車、馬達驅動系統和並聯型逆變器等高電…
英飛凌Flex Power Modules推出全新開關式電容中間匯流排轉換器 (2021.09.29)
Flex Power Modules 推出 BMR310 — 一款非隔離式開關電容中間匯流排轉換器 (IBC)，可為資料中心提供高功率密度供電，進而提高電路板空間利用率，為其他元件釋放空間。BMR310 採用英飛凌科技專有的零電壓切換開關電…
UnitedSiC推出最小導通電阻6mΩ SiC FET 耗損僅競品的一半 (2021.09.14)
碳化矽（SiC）功率元件的應用正快速且廣泛的成長中，尤其是電動車相關的市場，而SiC元件的性能優劣也成為供應商的決勝點。而專注於碳化矽元件技術開發的美商UnitedSiC（聯合碳化矽），今日推出了一款業界最佳的750V SiC FET產品，…
英飛凌推新款混合返馳式控制器 支援USB PD快充與適配器成長 (2021.05.18)
快速充電器和適配器的技術和市場迅速發展，持續對電源系統的設計帶來挑戰。為滿足對更高功率密度和能源效率的需求，英飛凌科技旗下XDP系列推出首款非對稱半橋返馳式拓撲結構的特定應用標準產品。採用DSO-14 SMD封裝的XDPS2201控制器，是…
提高電動車充電率 TI推升車用GaN FETs開關頻率性能 (2021.02.23)
為了加速電動車（EV）技術導入，滿足消費者對續航里程、充電時間與性價比的要求，全球汽車大廠在研發上需要更高的電池容量、更快的充電性能，同時盡可能降低或維持設計尺寸、重量或元件成本。透過EV車載充電器（OBC），家用、公用或商用充電站可以直接…
波音衛星使用Vicor新款電源模組 抗輻射及抗擾 (2021.01.05)
先進通訊衛星對於使用電源模組的高功率密度和低雜訊特性要求甚高，以避免不必要的干擾影響到系統及其他組件的運作效能。Vicor公司日前宣佈推出其首款輻射容錯 DC-DC 轉換器電源模組，該模組採用Vicor最新電鍍 SM-ChiP封裝。ChiP…
解決功率密度挑戰 (2020.12.16)
電源管理是在雲端採用 AI 技術，同時繼續滿足計算和儲存需求的最大瓶頸之一；問題在於系統向處理器及 ASIC 供電時，電源轉換器的功率密度。…
英飛凌擴大量產並加速推出CoolSiC MOSFET分離式封裝產品組合 (2019.05.17)
英飛凌科技1200 V CoolSiC MOSFET 產品組合進入大量生產階段。這些產品的額定值從 30 m? 至 350 m? ，並採用 TO247-3 與 TO247-4 封裝。另更延伸產品系列，即將推出的新產品包括表面黏著裝置 (SM…
為新一代資料中心供電：英飛淩 48 V 高效率雙級架構配電 (2019.05.14)
英飛凌科技推出零電壓切換 (ZSC) 開關電容轉換器，採用雙級架構，適用於 48 V 應用的 CPU、GPU、SoC、ASIC 及記憶體供電。英飛淩的 48 V 架構完整系統概念為達成 99% 的效率做好準備。結合 ZSC 電路板與 Coo…
ST先進IGBT專為軟切換優化而設計 可提升家電感應加熱器的效率 (2019.04.22)
意法半導體（STMicroelectronics）新推出之STGWA40IH65DF和STGWA50IH65DF 650V STPOWER IGBT兩款新產品能夠在軟切換電路中帶來最佳導通和切換性能，提升諧振轉換器在16kHz-60kHz切…
Infineon超軟切換IGBT 飛輪二極體提供領先低損耗技術 (2018.04.17)
英飛凌關係企業Infineon Technologies Bipolar公司針對現今IGBT應用推出全新專用二極體系列產品：Infineon Prime Soft，具有改良的5 kA/μs軟關斷功能。Prime Soft 以單晶矽設計且廣受…
英飛凌推出600 V CoolMOS CFD7 SJ MOSFET (2017.11.24)
英飛凌科技發表新款高電壓超接面(SJ) MOSFET 技術產品 600 V CoolMOS CFD7，讓CoolMOS 7 系列更為完備。 新款 MOSFET 產品滿足高功率 SMPS 市場的諧振拓樸需求，為 LLC 和 ZVS PSFB …