ROHM開發出實現業界頂級低損耗650V耐壓IGBT (2026.07.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出650V耐壓第4代IGBT*1，非常適用於車載電動壓縮機、HV加熱器以及工業設備用變頻器等應用。作為支援車載應用的650V等級產品，實現了業界頂級※低導通損耗VCE(sat)＝1.55V，同時…
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ROHM開發出第5代SiC MOSFET，高溫下導通電阻可降低約30%！ (2026.05.19)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）開發出全新一代EcoSiC—「第5世代SiC MOSFET」，非常適用於xEV（電動車）牽引逆變器*等汽車電動動力總成系統，以及AI伺服器電源和資料中心等工業設備電源。 ROHM在開發第5世代SiC…
「Power Eco Family」 ROHM功率半導體產品介紹 (2025.10.01)
1.前言 近年來，全球耗電量逐年增加，在工業和交通運輸領域的成長尤為顯著。另外以化石燃料為基礎的火力發電和經濟活動所產生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴重的社會問題。因此為了實現零碳社會，努力提高能源利用效率並實現碳中和，已成為全球共…
搭載ROHM SiC MOSFET的Schaeffler’s Inverter Brick開始量產 (2025.09.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）與德國大型汽車零件供應商Schaeffler（總部位於德國Herzogenaurach，以下稱Schaeffler）宣佈，作為戰略合作夥伴關係的重要里程碑，Schaeffler開始量產針對中國大型汽…
封裝決勝未來：半導體的黃金引擎 (2025.09.08)
先進封裝突破製程微縮瓶頸，透過異質整合與高密度互連，成為推動多項應用邁向新世代的關鍵推手。…
國儀中心與鼎極科技聯手打造次世代功率半導體製程技術 (2025.06.24)
在電動車、5G及低軌衛星等應用快速擴張的背景下，對高效能功率半導體的需求與日俱增。為了突破碳化矽（SiC）晶圓加工中的製程瓶頸，國研院國儀中心與精密加工設備業者鼎極科技合作，成功開發出以紅外線奈秒雷射應用於碳化矽晶圓研磨的創新技術。這項技術…
三菱電機將交付用於xEV的SiC-MOSFET裸晶片樣品 (2024.11.12)
三菱電機株式會社（Mitsubishi Electric）宣布，將開始發貨用於驅動馬達的碳化矽 （SiC) 金屬氧化物半導體場效電晶體（MOSFET）裸晶片樣品11月14日，三菱電機推出電動車（EV）、插電式混合動力車（PHEV）和其他電動…
ROHM第4代1200V IGBT實現頂級低損耗和高短路耐受能力 (2024.11.12)
近年來，汽車和工業設備朝高電壓化方向發展，市場開始要求安裝在車載電動壓縮機、HV加熱器和工業設備逆變器等應用中的功率元件支援高電壓。半導體製造商ROHM針對車載電動壓縮機、HV加熱器、工業設備用逆變器等，開發出符合汽車電子產品可靠性標準AE…
ROHM與UAES簽署SiC功率元件長期供貨協議 (2024.09.05)
半導體製造商ROHM與中國車界Tier1供應商—聯合汽車電子有限公司（United Automotive Electronic Systems，UAES）簽署了SiC功率元件的長期供貨協議。 ROHM執行董事 功率元件事業本部 本部長 野間…
ROHM第4代SiC MOSFET裸晶片導入吉利電動車三款主力車型 (2024.08.29)
半導體製造商ROHM內建第4代SiC MOSFET裸晶片的功率模組，成功導入至浙江吉利控股集團（以下稱吉利）的電動車（以下稱EV）品牌「ZEEKR」的「X」、「009」、「001」三款車型的主機逆變器。自2023年起，此款功率模組經由ROH…
三菱電機為Ka頻段衛星通訊地球站提供GaN MMIC功率放大器 (2024.06.14)
三菱電機（Mitsubishi Electric）今（14）日宣布，將開始出貨用於Ka 波段衛星通訊的8W 和14W 氮化鎵（GaN）單片微波積體電路（MMIC）功率放大器樣品—7 月 1 日起啟用通訊（SATCOM）地球站。 衛星通訊的主…
ROHM 1200V IGBT成功導入SEMIKRON-Danfoss功率模組 (2023.04.26)
SEMIKRON-Danfoss和半導體製造商ROHM在開發SiC（碳化矽）功率模組方面，已有十多年的良好合作關係。此次，SEMIKRON-Danfoss向低功率領域推出的功率模組中，採用了ROHM新產品—1200V IGBT「RGA系列」…
電源和馬達占全世界用電量的一大半，為實現無碳社會，如何提高其效率已成為全球性的社會問題，而功率元件是提高效率的關鍵。ROHM的SiC MOSFET和SiC蕭特基二極體（簡稱SiC SBD）已被成功應用於大功率類比模組製造商Apex Micr…
ROHM SiC技術助力SEMIKRON功率模組 打造次世代電動車 (2022.07.15)
SEMIKRON和半導體製造商ROHM在開發碳化矽（SiC）功率模組方面已經有十多年的合作。本次ROHM的第4代SiC MOSFET正式被運用於SEMIKRON車規級功率模組「eMPack」，開啟了雙方合作的全新里程碑。 此外，SEMIKR…
ST為賽米控eMPack電動汽車電源模組提供碳化矽技術 (2022.06.21)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）宣布，為世界電源模組系統領導製造商賽米控（Semikron）的eMPack電動汽車電源模組提供碳化矽（SiC）技術。 該供貨協議為兩家公司為期四年之技術合作的成果，其採用意法半導體…
ST推出2.5V輻射硬化數位類比轉換器 有效降低下一代衛星功耗 (2022.04.13)
意法半導體（STMicroelectronics，簡稱ST）推出之新款RHRDAC121輻射硬化數位類比轉換器（Digital-to-Analog Converter，DAC）的最低運作電壓為2.5V，適用於舊版3.3V數位類比轉換器所不支…
英飛凌推出OptiMOS源極底置功率MOSFET 展現優異熱性能 (2022.02.16)
英飛凌科技股份有限公司推出新一代OptiMOS源極底置（Source-Down，簡稱SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實可行的解決方案。 新款功率MOSFET採用PQFN封裝，尺寸為3.3 x 3.3平方公釐，支援從2…
小晶片Chiplet夯什麼？ (2021.05.03)
隨著元件尺寸越接近摩爾定律物理極限，晶片微縮的難度就越高，要讓晶片設計保持小體積、高效能，除了持續發展先進製程，也要著手改進晶片架構(封裝)，讓晶片堆疊從單層轉向多層...…
SiC MOSFET應用技術在雪崩條件下的魯棒性評估 (2020.08.18)
本文透過模擬雪崩事件，進行非鉗位元感性負載開關測試，並使用不同的SiC MOSFET元件，依照不同的測試條件，評估技術的失效能量和魯棒性。…
臻驅科技與ROHM攜手 成立碳化矽技術聯合實驗室 (2020.06.24)
中國新能源車驅動公司臻驅科技（上海）有限公司（臻驅科技）與半導體製造商羅姆（ROHM）宣佈在中國（上海）自由貿易區試驗區臨港新區成立「碳化矽技術聯合實驗室」，並於2020年6月9日舉行了揭幕啟用儀式。 相較於IGBT等矽（Si）功率元件，碳…