英特爾晶圓代工與ASML攜手合作 加速產業運用High-NA EUV (2026.09.08)
本週於SPIE光罩技術暨極紫外光微影研討會（SPIE Photomask Technology + Extreme Ultraviolet Lithography）上，英特爾晶圓代工與ASML分享將高數值孔徑極紫外光（High NA EUV…
搜尋「紫外光」，共 177 筆
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.20)
imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，提供imec前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展需求。…
深耕40年的晶圓廠量測與檢測：重大里程碑和未來發展 (2026.08.11)
imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術，瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期，同時提供imec的前瞻量測發展藍圖，其發展動力與多項重大挑戰相關，包含尺寸微縮和3D技術的興起，還有成本和永續發展的需求。…
台灣整合記憶體架構 (2026.07.09)
隨著AI軟硬體不斷演進，記憶體的重要性如今已幾乎與算力並列，成為最重要的戰略資產。…
Nearfield完成3.8億美元D輪融資 創荷蘭deep-tech最大募資紀錄 (2026.06.23)
Nearfield Instruments 成功完成總額達 3.8 億美元（約 123 億新台幣）的 D 輪融資。本輪融資完成後，公司估值達 16 億美元， 是Nearfield 發展為半導體量測與檢測全球領導者的重要里程碑。 本輪融資由新…
日本OIST發表全新簡化高NA EUV設計 大幅降低半導體功耗與成本 (2026.06.18)
沖繩科學技術大學院大學（OIST）新田特束教授17日於《微/奈米圖案化、材料與計量學期刊》（JM3）發表一項創新性的光學硬體破局技術，宣布對高數值孔徑極紫外光（High-NA EUV）曝光機的照明與投影系統進行激進重構，解決半導體光學功耗與…
2奈米旗艦晶片成本激增20% 或將改變未來終端裝置市場定位 (2026.05.12)
根據供應鏈最新消息指出，全球兩大行動晶片龍頭高通與聯發科傳出將提前導入 2 奈米製程。…
三星、SK 海力士、美光開始啟動DDR6研發 (2026.05.05)
全球記憶體三大巨頭全面展開下一代標準「DDR6」的研發與規格制定，預計將於 2028 年正式進入商用化階段。…
imec獲High-NA EUV系統 推動業界步入埃米世代 (2026.03.19)
比利時微電子研究中心（imec）近日宣布所採購的ASML最新EXE:5200高數值孔徑極紫外光（high-NA EUV）微影系統已順利到廠，將進一步確立其在埃米時代扮演產業發展基地的關鍵地位，並提供其全球夥伴生態系統提前取得新一代晶片微縮技…
High NA EUV將登場 是否將加速半導體產業寡占？ (2026.02.13)
隨著 2 奈米以下製程逐步逼近量產階段，High NA EUV（高數值孔徑極紫外光刻機）設備被視為延續摩爾定律的重要關鍵。然而，在技術突破的光環之下，產業界也開始討論一個更現實的問題：當導入門檻與投資規模再創新高，是否將進一步加速全球半導體…
歐盟啟動NanoIC晶片試產線 推進先進製程與AI競爭力 (2026.02.13)
在全球半導體競爭日益激烈的局勢下，歐盟正式啟動 NanoIC 晶片試產線（NanoIC pilot line），意圖強化本土先進半導體研發與製造能力，並縮小與亞洲、美國先進晶片製造的技術差距。該設施於比利時魯汶（Leuven）的 imec …
imec採用EUV微影技術 展示固態奈米孔首次晶圓級製造 (2026.02.03)
於今年IEEE國際電子會議（IEDM），imec展示運用極紫外光（EUV）微影技術首次成功完成的固態奈米孔晶圓級製造。固態奈米孔作為分子感測應用的有力工具，正在逐漸興起，但還未進行商業化。這項概念驗證是邁向其經濟高效（大規模）生產的關鍵一步…
艾司摩爾2025年全年財報亮眼 全球半導體設備迎來新一波紅利期 (2026.01.28)
艾司摩爾（ASML）近日揭曉 2025 年全年財報，數據表現亮眼。2025 年全年銷售淨額達到 327 億歐元，淨收入為 96 億歐元。光是第四季的單季銷售額就以 97 億歐元創下歷史新高，其中包括兩套最先進的 High NA EUV 設備…
突破短波長與散熱瓶頸 新唐推出高功率紫外半導體雷射二極體 (2026.01.16)
隨著先進半導體封裝與精細製程持續朝高解析、高效率的演進，關鍵光源技術成為設備效能升級的核心。新唐科技（Nuvoton Technology）近日推出一款高功率紫外光半導體雷射二極體，波長379 nm、連續波（CW）光學輸出功率達1.0 W，…
DELO一體化邊緣黑化系統全面提升AR光學性能 (2025.12.23)
在AR裝置朝向輕量化、高亮度與高對比顯示快速演進之際，光學元件邊緣反射控制成為影響成像品質的關鍵製程。DELO推出一套完整的紫外光固化邊緣黑化系統，將高吸光塗層材料、噴射點膠設備與固化製程整合為完整解決方案，鎖定AR波導及高階光學元件的自動…
中國公布EUV原型機研發進展 (2025.12.19)
根據報導指出，中國在極紫外光（EUV）光刻機領域已完成原型機階段的進展。此一成果被視為中國推動高階半導體設備自主化的重要里程碑，也是外界所稱「中國曼哈頓計畫」的關鍵環節之一，顯示中國正積極嘗試突破先進製程設備長期依賴海外供應的結構性限制。 …
應材研發新一代半導體製造系統 將大幅提升AI晶片效能 (2025.10.09)
迎接全球AI基礎建設熱潮，美商應用材料公司近日也發表最新半導體製造系統，將專注在3大關鍵領域，分別是環繞式閘極（GAA）、電晶體在內的前瞻邏輯製程、高頻寬記憶體（HBM）在內的高效能DRAM等。進而提升AI運算所需的先進邏輯與記憶體晶片效能…
imec達成High-NA EUV單次圖形化里程碑 (2025.10.07)
於2025年國際光電工程學會（SPIE）光罩技術暨極紫外光微影會議（美國加州蒙特雷市）上，比利時微電子研究中心（imec）發表了兩項有關單次壓印極紫外光（EUV）微影的突破性進展：（1）間距為20奈米的導線圖形，包含與鑲嵌金屬化製程相關的1…
由設計實現的可永續性：降低下一代晶片的環境成本 (2025.10.02)
本文透過在開發週期的早期階段整合環境考量、改善獲取製程級潛在影響數據的途徑，以及探索取代高影響力材料和傳統製程步驟的替代方案，以探討永續性可能變成設計參數而非限制的方法。…
ASML高孔徑EUV採用進度放緩 技術與市場拉鋸顯現 (2025.09.29)
荷蘭光刻巨頭 ASML 長期壟斷極紫外光（EUV）市場，其設備成為推動半導體製程不斷前進的關鍵。然而，外界原本寄予厚望的高數值孔徑（High NA）EUV 光刻機，近期卻傳出採用進度不如預期，反映出先進技術與市場現實之間的拉鋸。 高 NA …