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搜尋「磊晶製程」,共 16

看好氮化鎵技術在功率電子應用的發展潛力,比利時微電子研究中心(imec)近日攜手愛思強(AIXTRON)、格羅方德(GlobalFoundries)、美商科磊(KLA)、新思科技(Synopsys)與威科儀器(Veeco)等,成為其12吋氮

英飛凌科技宣布,其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後,該廠將成為全球最大且最具競爭力的8吋碳化矽(SiC)功率半導體晶圓廠。馬來西亞總理拿督思里安華、吉打州務大臣拿督思里莫哈末沙努西與英飛凌執行長 Jochen Hanebe

為了達到高速且低延遲的通訊品質,高頻毫米波的處理器、低成本射頻零組件,整合多元零組件於單一模組的封裝天線(Antenna in Package;AiP)成為各廠必爭之地。工研院攜手荷蘭商Altum RF與台灣的稜研科技,投入擁有更高輸出功率

迎接元宇宙世代降臨,根據TrendForce最新Micro LED報告研究顯示,在眾多Micro LED顯示應用領域中,又以Micro LED微型顯示器會是接續大型顯示器發展的新型高階產品,預估截至2026年為止,用於AR智慧眼鏡顯示器晶片

為了大幅提升寬能隙(碳化矽和氮化鎵)半導體的產能,進一步鞏固和增強其在功率半導體市場的領導地位。英飛凌科技將斥資逾20億歐元,在馬來西亞居林工廠建造第三個廠區。建成之後,新廠區將用於生產碳化矽和氮化鎵功率半導體產品。 此次擴建是英飛凌根據公

在化合物半導體材料領域,環球晶在碳化矽晶片領域的專利佈局,著重碳化矽晶片的表面加工方法以及磊晶技術。唯有掌握關鍵技術、強化供應鏈及提升半導體晶圓地位,才能夠在國際市場上脫穎而出。

半導體供應商意法半導體(STMicroelectronics;ST)已簽署收購法國氮化鎵(GaN)創新企業Exagan多數股權的併購協議。Exagan的磊晶製程、產品研發和應用經驗將拓展並推動意法半導體之車用、工業和消費性功率GaN的研發和

意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)和CEA Tech旗下之研究所Leti宣布合作研發矽基氮化鎵(GaN)功率切換元件製造技術。該矽基氮化鎵功率技術將讓意法半導體滿足高效能、高功率的應用需求,包括混動和電動汽車車載充

全球百大科技研發獎(R&D 100 Awards)有「科技產業奧斯卡」之稱,今年已邁入第55屆,每年從全球上千件創新技術中,挑選出100項年度具有重大創新意義及對於人類生活影響深遠的商品化技術,也已成為市場上鑑定新技術的重要指標。諸如傳真機

隨著半導體產業不斷尋求朝20/14奈米製程發展之際,電子驗證測試產業-iST宜特科技在材料分析不缺席。iST宜特今(5月12號)宣布除了佈建目前業界EDS元素分析能力最強的TEM設備:JEM-2800外,更和成大微奈米中心進行材料分析技術開

高電壓功率 MOSFET 一般分為兩大類: 超接面(SJ : Super Juction)MOSFET 和平面型 MOSFET。由於其電荷平衡結構和更小的輸入柵極電荷(Qg),SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的導通電阻(R

歐司朗光電(Osram)於日前宣佈,推出新款LED產品-OSTAR Compact,該產品將可處理更高電流,並且熱阻更低,可在脈衝模式下處理最高6A的電流,適合小型行動裝置的微型和口袋型投影機使用。此外,新的高電流LED能夠大幅提升亮度。

據業界消息,目前為美商MEMC百分之百持股的竹科中德電子材料,已規畫在2005年內量產12吋矽晶圓生產線。該生產線將把MEMC日本廠產出的(Ingot)運來台灣進行後段切割拋光製程,並設置12吋磊晶(epi)反應爐,提供磊晶片製程,預計於2

80年代迄今,LED一直有著戲劇化的發展與瓶頸。從前期上游材料研發困難的突破,到近期經濟狀況大幅度改變,都成為LED發展重心轉移的原因。筆者隨著它的演變、研發過程,從法令及環境方面分析出產業發展的契機。