英飛凌首款碳化矽功率模組可在205℃運作 針對電動汽車逆變器設計 (2026.06.18)
英飛凌科技在電動汽車逆變器功率模組領域完成一個新的里程碑：HybridPACK Drive 系列正式推出全新 1300 V 碳化矽（SiC）模組，該模組能夠在高達 205℃的溫度下持續運行。市面上現有的同類設計通常最高僅允許在 175℃ 下…
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英飛凌攜手DG Matrix，以碳化矽技術推動AI資料中心電力基礎設施發展 (2026.04.02)
全球電源系統和物聯網領域半導體領導者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）與全球固態變壓器（SST）解決方案領導者DG Matrix攜手合作，共同提升電力轉換效率，助力AI資料中心和工業電力應用接入公共電網…
英飛凌與DG Matrix合作推動AI資料中心電力基礎設施發展 (2026.03.30)
英飛凌科技與DG Matrix攜手合作，共同提升電力轉換效率，助力AI資料中心和工業電力應用接入公共電網。在本次合作中，DG Matrix將採用英飛凌最新一代碳化矽（SiC）技術，應用於其Interport多埠固態變壓器平台。這將加強DG …
英飛凌碳化矽功率半導體成功應用於豐田 bZ4X 新車款 (2026.03.03)
英飛凌科技股份有限公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）近日宣佈，全球最大汽車製造商豐田 (TOYOTA) 已在其新款車型bZ4X中採用了英飛凌CoolSiC MOSFET（碳化矽功率MOSFET）產品。這款碳化矽MOS…
工研院組隊亮相NEPCON JAPAN 展現研製AI、車用半導體實力 (2026.01.22)
迎合AI基礎建設與電動車創造龐大能源需求，工研院近期參與日本國際電子製造關連展（NEPCON JAPAN），便以「車用碳化矽技術解決方案」、「直流電網技術解決方案」及「氮化鎵元件整合封裝解決方案」3大主題，展示逾14項前瞻技術成果，並攜手台…
ROHM與英飛凌攜手推進SiC功率元件封裝相容性 為客戶帶來更高靈活度 (2025.10.28)
半導體製造商 ROHM（總公司：日本京都市）與 Infineon Technologies AG（總公司：德國諾伊比貝格，以下簡稱 Infineon）針對建立 SiC 功率元件封裝合作機制簽署了備忘錄。雙方對應用於車載充電器、太陽能發電、儲…
搭載ROHM SiC MOSFET的Schaeffler’s Inverter Brick開始量產 (2025.09.09)
半導體製造商ROHM（總公司：日本京都市）與德國大型汽車零件供應商Schaeffler（總部位於德國Herzogenaurach，以下稱Schaeffler）宣佈，作為戰略合作夥伴關係的重要里程碑，Schaeffler開始量產針對中國大型汽…
格棋：以碳化矽為核心 打造台灣第三類半導體新戰略地位 (2025.09.02)
隨著電動車、AI伺服器與儲能系統等高功率應用需求持續升溫，第三類半導體材料碳化矽（SiC）已成為能源轉換效率提升的關鍵核心。面對全球市場快速變化，格棋化合物半導體董事長張忠傑指出，雖然短期仍存在終端調整與庫存去化壓力，但碳化矽的長期前景無庸…
工研院與台達開發SiC模組 搶攻高功率電子市場 (2025.02.08)
基於現今電動車為了符合低碳永續趨勢及續航力，兼顧在高壓、高溫下穩定運行，使得具備高功率密度的寬能隙化合物半導體（Wide-bandgap Semiconductor；WBG），成為該領域深受關注的元件材料。工研院也在近期海外參展時，發表最新…
工研院SiC技術亮相日本 助攻電動車產業升級 (2025.01.22)
工研院於日本國際電子製造關連展發表車用碳化矽（SiC）解決方案，吸引逾8萬人次參觀，並與車廠及零件商洽談合作。 工研院展示了與台達電共同開發的SiC功率模組，可提升電動車動力效能、延長續航里程並加速充電。此模組已通過可靠度測試，有助於臺灣S…
ST推廣智慧感測器與碳化矽發展 強化於AI與能源應用價值 (2024.11.11)
面對近年來工業4.0概念持續發展，並加入人工智慧（AI）普及化、節能減碳等熱門議題引發關注，意法半導體（ST）也在近期提出包含MEMS感測器和碳化矽（SiC）等高效解決方案，探討可在邊緣AI領域扮演的關鍵角色，使其更易於普及，讓每個人都能受…
意法半導體為電動車牽引變頻器打造新一代碳化矽功率技術 (2024.10.08)
全球半導體領導廠商意法半導體（STMicroelectronics；ST）正式推出第四代STPOWER碳化矽（SiC）MOSFET技術。這項新技術不僅滿足車用及工業市場的需求，還針對電動車（EV）動力系統中的關鍵元件—牽引變頻器進行專門優化…
ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)
ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用…
100％綠電運營 英飛凌啟用全球最大8吋SiC功率半導體晶圓廠 (2024.08.08)
英飛凌科技宣布，其位於馬來西亞的新廠一期建設正式啟動運營。建設完成後，該廠將成為全球最大且最具競爭力的8吋碳化矽（SiC）功率半導體晶圓廠。馬來西亞總理拿督思里安華、吉打州務大臣拿督思里莫哈末沙努西與英飛凌執行長 Jochen Hanebe…
意法半導體於義大利打造世界首座一站式碳化矽產業園區 (2024.06.24)
意法半導體（STMicroelectronics，ST），將於義大利卡塔尼亞打造一座結合8吋碳化矽（SiC）功率元件和模組製造、封裝、測試於一體的綜合性大型製造基地。透過整合同一地點現有之碳化矽基板製造廠，意法半導體將打造一個碳化矽產業園區…
博格華納採用ST碳化矽 為Volvo新電動車設計Viper功率模組 (2023.09.08)
意法半導體（STMicroelectronics；ST）將與博格華納（BWA）合作，為其專有的Viper功率模組提供最新的第三代750V碳化矽（SiC）功率MOSFET晶片。該功率模組用於博格華納為Volvo現有和未來多款電動車型設計的電驅…
英飛凌於馬來西亞興建全球最大8吋SiC晶圓廠 2030年貢獻70億歐元 (2023.08.03)
英飛凌科技宣布，將大幅擴建馬來西亞居林 (Kulim) 晶圓廠，繼之前於 2022 年 2 月宣布的投資計劃之外，將打造全球最大的8 吋碳化矽（SiC）功率晶圓廠。支持這項擴建計畫的動能，包含了約 50億歐元在汽車與工業應用的design-…
ST：以全面解決方案 為工業市場激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
意法半導體透過2023年工業巡迴論壇，更進一步在不同城市，為不同客戶延伸和展現工業解決方案、技術和產品。 透過「激發智慧 永續創新」的主軸，與會者能透過各種技術和產品以及解決方案的介紹，親身體驗前沿技術和激發智慧的應用。利用這樣的機會，CT…
ST：提供全面系統解決方案 為工業激發智慧並永續創新 (2023.07.17)
利用意法半導體2023年工業巡迴論壇的機會，CTIMES零組件雜誌也特別專訪了意法半導體亞太區功率離散和類比產品部行銷和應用副總裁 Francesco Muggeri，詳細闡述ST在工業領域的技術創新。…
車規碳化矽功率模組—基板和磊晶 (2023.06.27)
本文敘述安森美在碳化矽領域從晶體到系統的全垂直整合供應鏈，並聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模組，以及對兩個碳化矽關鍵的供應鏈基板和磊晶epi進行分析。…