瑞薩電子新系列半導體雷射二極體可實現100 Gbps高容量/速度的光學通訊 (2016.11.08)
瑞薩電子（Renesas）推出全新系列半導體雷射二極體「NX6375AA系列」。此款新開發的直接調變分佈式反饋雷射二極體（DFB LD，註1）支援100 Gbps光學收發器的25 Gbps ×四波長光源，可用於資料中心內伺服器與路由器之間的…
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快捷半導體開發出新款光耦合器 (2011.12.05)
快捷半導體公司（Fairchild Semiconductor）開發出FODM8801光耦合器，該元件是OptoHiT系列高溫光電電晶體光耦合器的成員。這些元件使用快捷半導體專有的OPTOPLANAR共面封裝（coplanar packag…
砷化鎵的磊晶技術與應用市場 (2007.04.04)
砷化鎵早年主要是應用於國防太空工業，以及高速電腦元件、高頻測量儀器等特定應用領域。隨著冷戰時代的結束、軍事管制的解除及個人通訊的快速發展，以微波頻率為主的無線通訊已可廣泛用於個人通訊、衛星通訊及光纖通訊等民生用途上，包括GSM、CDMA等可…
DLP投影技術探微 (2006.08.07)
DLP技術以光學半導體技術達成數位式多光源顯示的解決方案。它是全數位顯示技術，應用領域包括大螢幕數位電視、公司與家庭用投影機、專業會議投影機和數位電影院等產品。本文將介紹DLP的工作原理、應用及發展。…
Avago推出高功率紅外線發射器系列產品 (2006.01.20)
安華高科技（Avago Technologies）宣佈推出一系列採用5-mm（T-1 3/4）貫穿孔式包裝之870nm與940nm波長高功率紅外線（IR, Infrared）LED發射器，此發射器採用安華高科技針對高發射強度、高速與低順向電…
磷化銦鎵InGaP HBTs 元件的可靠性討論 (2001.12.05)
隨著無線通信的發展，彷彿無窮盡地在探索 「體積小、性能好、價格便宜」的特性, 這股動力不斷地驅動著設備製造商及其供應商朝這共同的目標邁進。以砷化鎵 (GaAs) 為基礎的異質介面雙極電晶體 (HBT) 技術涵含蓋了上述的三個特性，並持續地對特定應用提供絕佳的解決方案。…
發光二極體產業現況 (2000.04.01)
參考資料：…