ASM雙腔體碳化矽磊晶平台 滿足先進碳化矽功率元件領域需求 (2024.10.07)

ASM 發布了全新PE2O8碳化矽磊晶系統。這款雙腔體碳化矽（SiC）磊晶 （Epi）平台旨在滿足先進碳化矽功率元件領域的需求，具備低缺陷率、高製程穩定性，成為業界標竿。PE2O8具備更高的產量和較低的擁有成本，促進了碳化矽元件的更廣泛應用…

車規碳化矽功率模組—基板和磊晶 (2023.06.27)

本文敘述安森美在碳化矽領域從晶體到系統的全垂直整合供應鏈，並聚焦到其中的核心功率器件碳化矽功率模組，以及對兩個碳化矽關鍵的供應鏈基板和磊晶epi進行分析。…

ST將於義大利興建整合式碳化矽基板製造廠 (2022.10.06)

意法半導體（STMicroelectronics；ST）將於義大利興建一座整合式碳化矽（Silicon Carbide；SiC）基板製造廠，以支援意法半導體客戶對汽車及工業用碳化矽元件與日俱增的需求，協助其邁向電氣化並追求更高效率。新廠預計…

意法半導體收購Norstel AB 強化碳化矽產業供應鏈 (2021.09.03)

碳化矽（SiC）功率半導體市場需求激增，吸引產業鏈相關企業的關注，國際間碳化矽晶圓的開發，驅使SiC爭奪戰正一觸即發。…

SEMI：5G、EV與綠能 持續推動全球功率暨化合物半導體投資 (2021.08.23)

根據SEMI（國際半導體產業協會）功率暨化合物半導體晶圓廠展望報告（SEMI Power and Compound Fab Outlook to 2024）指出，全球功率暨化合物半導體晶圓廠設備支出在無線通訊、綠能以及電動車等應用的帶動下，…

三軸加速度計應用潛力與技術剖析 (2007.11.22)

MEMS元件近來贏得市場的高度重視，這種應用上的創新設計，讓用戶有了全新的體驗感受，再加上加速度計在製程技術、成本、功耗與尺寸上的改善，讓它能夠打入產量最大的消費性電子市場。本文將介紹三軸加速度計的應用、製程與技術原理。…

異軍突起的MEMS運動感測器 (2007.08.20)

MEMS是一項結合電子與機械的微小化工程技術，是利用矽的機械性質所設計出的可移動結構，能夠感測不同方向的加速度或振動等運動狀況，應用半導體製程技術來製作各種微小的精密機械元件，而且能進一步與今日的光電系統整合，以提供精微的感測或控制能力。目前主流的製程技術有兩種，分別是體型微加工及表面型微加工。在技術上，線性加速度計需考量一些規格特性，包括數位式、滿量程、解析度、敏感度、低功耗以及歸零測試能力等。…

漢磊積極佈建LCD驅動IC產能 (2006.05.25)

中小尺寸晶圓代工廠接單暢旺，除了電源管理等類比IC訂單強勁外，包括元隆、漢磊等業者亦積極爭取LCD驅動IC訂單，近期市場傳出元隆獲聯詠下單外，漢磊亦傳出獲得奇景LCD驅動IC訂單，唯漢磊對此以商業機密為由不予評論。不過漢磊指出，目前已開始著…

空白矽晶圓市場將在12吋廠帶動下達2位數成長 (2004.02.19)

據半導體設備及材料協會（SEMI）矽製造研究部（Silicon Manufacturers Group；SMG）報告顯示，2003年全球空白矽晶圓出貨量達51.49億平方英吋，較2002年成長10％；展望未來，空白矽晶圓市場仍可能在12吋晶…

高功率整流二極體市場現況與我國發展機會分析 (2003.11.05)

在資訊與消費性電子領域應用廣泛的高功率整流二極體，從前段的矽晶圓製作到後段的封裝、測試等製程都已是一項成熟度極高的技術，台灣業者在此一市場亦有不錯表現；本文將介紹高功率二極體產業之全球各國發展現況，並對台灣業者在面對中國大陸競爭下可採取之市場策略提出建言。…

2003年Q1全球矽晶圓出貨量小幅成長 (2003.05.08)

外電報導，根據半導體設備及材料協會（SEMI）所公佈的最新報告，2003年第一季全球矽晶圓出貨量達11.75億平方英吋，較上一季的11.34億平方英吋成長4％，亦較2002年同期的10.11億平方英吋成長了16％。 根據SEMI的統計資料，…

漢磊業績明年第二季後才有突出表現 (2001.10.05)

漢磊科技4日舉行法人說明會指出，漢磊6吋廠產能利用率自七、八月的40至50%，大幅滑落至目前的35%，粗估九月營收約在一億元左右，較八月的1.8億元衰退46%。漢磊科技財務長范桂榮表示，九月應是公司營谷底，十月業績則在谷底徘徊，要到明年第二…

矽晶圓產業2000年瞭望 (2000.02.01)

參考資料：…