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搜尋「矽晶片技術」,共 30

在最新的一項研究中,研發出一種特殊的石墨炔轉化結構,這種轉化完全消除了石墨炔中所有的二配位乙炔碳,但保留了其層狀結構。轉化還改變了材料的能帶隙。這一發現可能為未來製造全碳電子晶片的技術鋪平道路,實現目前矽技術無法達到的性能。 石墨炔是一種獨

正海集團與ROHM簽署合資協定,將共同成立一間主要經營功率模組事業的新公司。新公司名為上海海姆希科半導體有限公司(HAIMOSIC (SHANGHAI) CO., LTD.),計畫於2021年12月在中國成立,出資比例為正海集團旗下的上海正

Ansys今日宣布,其先進多物理場簽核(signoff)解決方案,已通過台積電(TSMC)先進N3和N4製程技術認證,可滿足高複雜AI、5G、HPC、網路和自駕車晶片對電源、散熱和可靠度的嚴格標準 。 Ansys RedHawk-SC的台積

德州儀器(TI)宣佈其內部組裝據點的銅打線技術產品出貨量已超過220億件,且時下正在為汽車和工業等主要的高可靠性應用進行量產。TI的大多數現有類比和CMOS矽晶片技術節點已用銅線標準來限定, TI的所有新技術和封裝都用銅打線來開發。憑藉其品

在這個無線通訊串連智慧生活的數位年代,連家中的電冰箱、洗衣機、電視都可以連上網路,而包括汽車、醫療等更廣闊的應用領域,也早都已經把無線連結視為必備的功能之一。也因此,不得不令人想到一個問題,既然能夠上網的電腦、手機、平板等裝置,都已經因為具

由ReneSola昱輝陽光生產的Virtus Wafer在全球已大受歡迎。Virtus Wafer能將一般多晶電池的平均電池轉換效率從16.5%左右提高至17.5%~18.2%以上,能夠大幅提高太陽能電池效率。ReneSola昱輝陽光技術副

恩智浦半導體(NXP)於日前宣佈,針對高頻無線電應用推出一系列採用最新矽鍺(SiGe)製程技術開發的新產品。並預計在2010年底前推出超過50種採用矽鍺碳(SiGe:C) 技術之產品。該產品製程可提供高功率增益,和極佳的動態範圍,專為滿足現

日本東北大學電氣通信研究所與日立製作所,最近透過自旋電子技術和矽晶片技術,成功開發了運算功能和非揮發性記憶體功能一體化的晶片。在嵌入MOS電晶體的晶片上,通過層疊自旋電子技術的磁隧道(Magnetic Tunnel Junction;MTJ

德州儀器(TI)成功併購Chipcon之後,便將後者在低功耗短距無線射頻收發器和系統單晶片的設計經驗,與TI在類比矽晶片技術和系統軟體整合在一起,使TI在低功耗RF以及ZigBee的系統單晶片(SoC)技術和產品上,更具市場競爭力,不僅能提

英特爾公司高階主管19日於舊金山舉行的英特爾科技論壇(Intel Developer Forum,IDF)上表示,即將普及的WiMAX無線網路、專為筆記型電腦推出的Intel Centrino(迅馳)處理器技術的持續創新、以及新類型聯網裝置

英特爾公司總裁暨執行長歐德寧(Paul Otellini)18日於舊金山舉行的英特爾科技論壇上,闡述全新產品、晶片設計與製程技術概要,它們促使英特爾持續產品的快速研發步調及技術領導地位。 在參與英特爾科技論壇的業界領袖、開發人員與產業觀察家

安森美半導體(ON Semiconductor)擴充低Vce(sat)雙載子接面電晶體(BJT)產品系列,推出採用先進矽晶片技術的PNP與NPN產品。這兩種新型電晶體與傳統的BJT或平面MOSFET比較,不僅實現了能效的最大化,而且還可延長

英特爾高階主管在英特爾科技論壇(Intel Developer Forum, IDF)上描繪行動運算技術的未來趨勢,表示個人化及內容是增加筆記型電腦與移動聯網裝置(mobile Internet devices, MID)市場需求的關鍵驅動

半導體供應商ST,發表一款首度能在高速介面應用中實現完整15kV ESD(靜電放電)保護功能的元件,這些高速介面包括數位視訊介面(DVI)、高解析度多媒體介面(HDMI)、USB2.0,以及操作速度達3.2Gbps的乙太網路。採用最新先的矽

德州儀器(TI)宣佈完成日前公佈的Chipcon收購作業,正式將這家短距、低耗電射頻收發器元件設計公司納入麾下。這項收購行動將進一步擴大TI高效能類比產品陣容,並為TI客戶帶來ZigBee解決方案與種類豐富的射頻元件,以協助他們開發創新的低

德州儀器(TI)宣佈將收購低功耗短距無線射頻收發器供應商Chipcon。TI將透過這項收購行動把Chipcon的射頻收發器和系統單晶片設計經驗以及TI的先進類比矽晶片技術和廣泛系統知識結合在一起,使TI更有能力針對消費、家用和大樓自動化等應

趨勢顯示,球狀矩陣排列(BGA)封裝會顯著增加,許多分析師預計將出現20%以上的年複合成長率,而大部分球狀矩陣排列增加都來自晶片尺寸封裝(CSP)和倒裝晶片(FC)封裝,本文也將為讀者介紹球狀矩陣排列轉變與絕緣基板等技術。