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搜尋「矽基氮化鎵」,共 26

Micro LED持續緩步前進,在智慧錶、透明顯示和車用顯示領域漸漸打開市場。而在AI當道的世界,Micro LED似乎又找到了另一個可以大顯身手的地方,也就是AI高速傳輸的領域,有機會進入矽光子光傳的供應鏈,成為在CPO架構中的一員,取代

富采與德國ALLOS Semiconductors今日宣布締結策略合作,雙方將攜手推動8吋矽基氮化鎵LED(GaN-on-Si LED)磊晶片量產,旨在加速Micro LED於AR等高整合顯示器應用的發展。富采憑藉全球領先的LED磊晶製造技

大聯大控股宣佈,其旗下詮鼎推出基於英諾賽科(Innoscience)INN650D01場效應晶體管的高效超薄型200W LED驅動電源方案。 隨著人們對燈具品質的要求越來越高,傳統的LED驅動器已經無法滿足小而薄的燈具設計。並且由於LED需

意法半導體(STMicroelectronics;ST)和MACOM已成功製造出射頻矽基氮化鎵(RF GaN-on-Si)原型晶片。意法半導體與MACOM將繼續合作,並加強雙方的合作關係。 射頻矽基氮化鎵為5G和6G基礎建設之應用帶來巨大的

埃賦隆半導體(Ampleon)推出兩款新型寬頻碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)高電子遷移率電晶體(HEMT),功率等級分別為30W的CLF3H0060(S)-30和100W的CLF3H0035(S)-100。這兩款高線性度元件是最近通

Microchip今日宣佈擴大其氮化鎵(GaN)射頻(RF)功率元件產品組合,推出頻率最高可達20 GHz的新款單晶微波積體電路(MMIC)和分離電晶體。這些元件同時具備高功率附加效率(PAE)和高線性度,為5G、電子作戰、衛星通訊、商業和

美國雷射光學元件設計製造商貳陸公司(II-VI)是全球第一家試製並發表8吋SiC基板的公司,甚至還自行開發SiC長晶等設備。台灣在化合物半導體的應用仍在萌芽階段,初期若也能同步發展設備與製程,將可帶動效益倍增。

根據TrendForce研究顯示,受惠於消費性快充產品需求快速上升,如手機品牌小米(Xiaomi)、OPPO、Vivo自2018年起率先推出快速充電頭,憑藉高散熱效能與體積小的產品優勢獲得消費者青睞,截至目前筆電廠商也有意跟進,使GaN功率

德州儀器(TI)宣佈,其氮化鎵(GaN)技術和 C2000 即時微控制器(MCU),輔以台達的電力電子核心技術,為資料中心開發設計高效、高功率的企業用伺服器電源供應器(PSU)。與採用傳統架構的企業伺服器電源供應器相比,台達研發的伺服器電源

英飛凌科技和 Panasonic 公司,已針對共同開發及生產第二代 (Gen2) 氮化鎵 (GaN) 技術簽訂合約,基於已獲認可接受的GaN技術,Gen2技術將提供更高效率和功率密度水準。 為了因應市場需求,Gen2 將會開發為 650 V

科銳 (Cree, Inc.,)宣佈,與美商邁凌科技(MaxLinea)成功合作,結合科銳 Wolfspeed碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)中頻功率放大器,和美商邁凌科技超寬頻線性化解決方案(MaxLin),增加了 5G 基地台的無

衛星通訊系統使用複雜的調變方案,以實現極快的資料速率以用於傳遞視訊和寬頻資料。因此,它們必須具備高射頻輸出功率,同時確保訊號能保持其理想的特性。Microchip Technology Inc.今日宣佈推出新型GMICP2731-10 Ga

碳化矽技術開發大廠Cree | Wolfspeed宣布擴展其無線射頻(RF)解決方案陣容,推出四款新型碳化矽基氮化鎵(GaN-on-SiC)單晶微波積體電路(MMIC)元件,適用於各種脈衝陣列和X頻段連續波相位陣列應用,包括船載航海雷達、氣

德州儀器(TI)拓展其高壓電源管理產品組合,推出適用於汽車及工業應用的650-V 及 600-V 氮化鎵場效電晶體(GaN FET),整合快速開關的 2.2-MHz 閘極驅動器,相較於既有解決方案,其能協助工程師實現電源密度加倍、效率高達9

德州儀器(TI)近日拓展其高壓電源管理產品組合,推出適用於汽車及工業應用的650V及600V氮化鎵場效電晶體(GaN FET),整合快速開關的2.2MHz閘極驅動器,相較於既有解決方案,其能協助工程師實現電源密度加倍、效率高達99%,且電磁