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搜尋「漏極-源極」,共 11

碳化矽MOSFET的驅動方式與傳統的矽MOSFET和絕緣閘雙極電晶體(IGBT)不同,本文敘述在碳化矽應用進行閘極驅動時,設計人員如何確保驅動器具備足夠的驅動能力。

儘管隔離技術已經存在多年了,但已演變以滿足新應用的需求,如可再生能源的逆變器、工業自動化、儲能以及電動和混合動力汽車的逆變器和正溫係數(PTC)加熱器。

高電壓功率 MOSFET 一般分為兩大類: 超接面(SJ : Super Juction)MOSFET 和平面型 MOSFET。由於其電荷平衡結構和更小的輸入柵極電荷(Qg),SJ MOSFET具有比平面型 MOSFET 更低的導通電阻(R

Diodes公司推出15款針對LCD電視和監視器背光應用的新型MOSFET元件,進一步擴展其多樣化的MOSFET 產品系列。新元件採用業界標準的TO252和SO8封裝,具有高功率處理能力和快速開關功能,滿足高效率CCFL驅動器架構的要求。

MOSFET是電氣系統一些最基本的元件,但隨著製造技術的發展和進步,系統設計人員必需跟上技術的發展步伐,才能為其設計挑選最合適的產品。本文將討論如何根據R<sub>DS(ON)</sub>、熱性能、雪崩擊穿電壓及開關性能指標來選擇正確的MOSFET。

類比訊號處理及功率管理方案供應商捷特科(Zetex Semiconductors)公司,近日在該公司中的低飽和、高電流SOT23FF電晶體系列中,增設了一對低電壓的PNP電晶體產品–ZXTP25020CFF和ZXTP19020DFF。它們雖