搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員
廣告
廣告
類別:
關鍵字:

搜尋「準諧振」,共 70

半導體製造商ROHM(總公司:日本京都市)推出新的參考設計「REF67004」,該設計可透過單個微控制器控制廣泛應用於消費性電子和工業設備電源的兩種轉換器—電流臨界模式PFC(Power Factor Correction)*1和準諧振返馳

德州儀器(TI)擴大其低功率氮化鎵 (GaN) 產品組合,旨在協助提升功率密度、最大化系統效率,以及縮小 AC/DC 電源供應消費電子和工業系統的尺寸。TI 具備整合式閘極驅動器的 GaN 場效應電晶體 (FET) 整體產品組合,可解決常見

為了在所有運作條件下確保電晶體產生更大的設計餘量、耐受性能和高可靠性,意法半導體(STMicroelectronics)推出新系列IGBT電晶體將擊穿電壓提升至1350V,最高作業溫度高達175°C,具有更高的額定值。 STPOWER IH

意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)新推出之HVLED101返馳式控制器適用於最高180W的LED燈具,其整合了各種功能、控制專利技術,並提供初級感測穩壓支援,助於提升照明性能並可簡化燈具電路設計。 HVLED101

全球電源產品和電動汽車充電站供應商飛宏(Phihong)新推出65W 2C1A USB PD配接器,其中採用Transphorm公司的氮化鎵(GaN)技術。這款配接器採用Transphorm的SuperGaN第四代技術,這是一種氮化鎵場效應

Transphorm推出七款參考設計,旨在加快採用氮化鎵的USB-C PD電源配接器的研發。該參考設計組合包括廣泛的開放式框架設計選項,涵蓋多種拓撲結構、輸出和功率(45W至140W)。 SuperGaN技術的差異化優勢 電源配接器參考設計

安森美(onsemi),推出用於USB供電(PD)設計的全新三件套組產品。新的控制器和驅動器提供創新的功能,能顯著減少高能效AC-DC電源的物料清單(BOM)含量,尤其是在100 W以上的負載範圍。 安森美電源轉換方案分部高級總監Shane

意法半導體(STMicroelectronics,簡稱ST)新款VIPerGaN50能簡化最高50W的單開關反激式功率電源轉換器設計,並整合一個650V氮化鎵(GaN)功率電晶體,優化電源的效能與小型化。 VIPerGaN50採用單開關拓撲

為了加速超小型化USB PD充電器的設計,偉詮電子日前推出採用WT7162Rx高頻多模準諧振式反激式控制晶片搭配氮化鎵的超小型化USB PD充電器參考設計。 WT7162Rx PWM控制系列晶片是一款高度整合的高頻/多模式反激式PWM控制晶

現今移動設備充電功率不斷提高,高功率充電器的小型化,便攜化將成為未來發展的重要方向。而功率往往和充電器的體積相互影響,亦即輸出功率越大,體積通常就越大。但隨著氮化鎵功率器件的使用,使得兼具高功率與小巧外觀的充電器成為了可能。大聯大控股旗下友