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搜尋「極紫外光微影」,共 14

於2025年國際光電工程學會(SPIE)光罩技術暨極紫外光微影會議(美國加州蒙特雷市)上,比利時微電子研究中心(imec)發表了兩項有關單次壓印極紫外光(EUV)微影的突破性進展:(1)間距為20奈米的導線圖形,包含與鑲嵌金屬化製程相關的1

1984年1月,義大利自行車手Francesco Moser創下當時的世界一小時單車紀錄;美國雷根總統正式宣布競選連任;蘋果史上第一台Mac上市。而比利時正在緊鑼密鼓籌備一重大活動,於1月16日正式成立比利時微電子研究中心(imec)。

比利時微電子研究中心(imec)及艾司摩爾(ASML)宣布,雙方計畫在開發最先進高數值孔徑(high-NA)極紫外光(EUV)微影試驗製程的下一階段強化彼此之間的合作。 該試驗製程的目標是協助採用半導體技術的所有產業了解先進半導體技術所能帶

英特爾是首家在類產品的測試晶片上實作背部供電的公司,達成推動世界進入下個運算時代所需的效能。英特爾領先業界的晶片背部供電解決方案-PowerVia,將於2024上半年在Intel 20A製程節點推出。藉由將電源迴路移至晶圓的背面,解決因晶片

即使當前半導體產業面臨諸多永續發展的挑戰,減少碳足跡更是重要課題。但對於半導體製造廠商而言,要在不影響晶片正常生產製程的情況下,減少耗能將是相當大考驗,必須必制訂端到端的永續策略。法商施耐德電機(Schneider Electric)今(4

imec展示全球首次實驗示範採用18nm導線間距的雙金屬層半鑲嵌模組,強調窄間距自對準通孔的重要性,同時分析並公開該模組的關鍵性能參數,包含通孔與導線的電阻與可靠度。

提供穩定供電並維持半導體製造設施運作為之不易,麥肯錫(McKinsey)的報告指出,大型半導體廠每小時可使用達100兆瓦時的電量,高於大多數煉油廠和汽車廠用電量。若提升半導體廠產量、進行更複雜的程序,用電量將會持續提高,例如最新的極紫外光微

亞東工業氣體宣佈,正式啟用其位於台南科技工業區的25百萬瓦(25MW)低碳氫水電解廠第一階段設備。此低碳氫水電解廠可提供台灣半導體產業所需之超高純度氫氣,同時支援未來各種氫能應用在台灣的發展。這個計畫與亞東工業氣體之母公司-液空集團-的氣候

台積電於3日宣布,在開放創新平台(Open Innovation Platform, OIP)之下推出5奈米設計架構的完整版本,協助客戶實現5奈米系統單晶片設計,目標鎖定具有高成長性的5G與人工智慧市場。 台積電表示,目前已與EDA及矽智財

微影技術在半導體製程中一直被認為是最重要的步驟,包括一直被廣泛應用在定義圖案的光學微影以及被應用在光罩製作上的電子束微影,而未來進入奈米時代之後,微影技術也面臨許多更新的挑戰,本文將藉由簡介先進微影技術之能力與限制,為讀者剖析目前主流微影術技術之應用與發展趨勢。