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搜尋「晶背供電」,共 21

在半導體產業過去數十年的發展歷程中,摩爾定律始終是算力競賽的最高指引——只要縮小電晶體尺寸,就能換取更高的效能與更低的能耗。然而,隨著先進製程邁向 2 奈米、進入環繞式閘極(GAA)架構與晶背供電(如 A16)的極限領域,物理邊際效益顯著遞

imec的量測專家在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,提供imec前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展需求。

imec的量測專家將在本文帶領讀者探索深耕40年的晶圓廠量測與檢測技術,瞭解圖形化和元件創新歷史的四大時期,同時提供imec的前瞻量測發展藍圖,其發展動力與多項重大挑戰相關,包含尺寸微縮和3D技術的興起,還有成本和永續發展的需求。

迎合現今AI熱潮對於先進邏輯和記憶體需求,由比利時微電子研究中心(imec)協調整合的歐洲研究計畫奈米晶片(NanoIC)試驗製程,持續致力於加速2奈米以後的晶片技術創新。近日更宣布推出兩套全新製程設計套件(PDK),包含用於先進邏輯微縮技

隨著 2026年智慧型手機與AI晶片邁入2 奈米(nm)元年,先進製程競賽全面升溫。供應鏈最新動向顯示,台積電位於新竹寶山與高雄的2奈米產線,在量產前夕即被核心客戶全面預訂,2026年產能幾近售罄。然而即便在「產能告急」與成本壓力並存的情況

隨著半導體邁向更小製程節點、3D堆疊與先進封裝設計,晶圓幾何形貌的微小差異,已成為影響良率與性能的關鍵變因。晶片設計愈複雜,材料疊層愈多,製程整合挑戰也隨之放大,在混合接合、晶背供電與高堆疊NAND等先進技術導入下,僅有奈米級的翹曲或高度偏

迎接AI時代創新製程需求,應用材料公司於甫落幕的SEMICON Taiwan 2025國際半導體展論壇上,展示旗下先進封裝、製程創新與永續發展的關鍵技術,並透過該公司廣泛且互連的材料工程解決方案組合,實現構成AI和高效能運算基礎的重大裝置變

SEMI 國際半導體產業協會今(17)日宣布,SEMICON Taiwan 2025將於9月8日至12日舉行。適逢在台30週年,本屆展會將首度擴大為期一週的「國際半導體週」,進一步強化全球合作與技術交流。 展會將於9月8日以系列高峰論壇揭開

隨著人工智慧(AI)應用迅速崛起,從生成式AI到自動駕駛和邊緣運算,對半導體晶片的需求也隨之激增。這些應用要求更高效能、更低功耗以及更高的設計靈活性。尤其在2030年實現單晶片容納1兆個電晶體的目標下,半導體產業面臨著重大挑戰:電晶體和晶片

基於現今人工智慧(AI)時代需要更節能的運算,尤其是在晶片佈線和堆疊方式對於效能和能耗至關重要。應用材料公司今(9)日於美國SEMICON WEST 2024展會,發表兩項新材料工程創新技術,旨在將銅互聯電網佈線微縮到2奈米及以下的邏輯節點

於日前舉行的2024年IEEE國際固態電路會議(ISSCC)上,比利時微電子研究中心(imec)推出一款開放式製程設計套件(PDK),該套件配備一套由EUROPRACTICE平台提供的共訓練程式。利用這款套件,將能透過imec開發的2奈米技

歷史每天都在開展,唯有時間流逝才會顯現出事件帶來的真正影響,而2023年是不凡的一年。隨著人工智慧竄起,如今變得人人唾手可得,2023年無疑是新紀元的開端。

英特爾公開多項技術突破,為公司未來的製程藍圖保留了創新發展,凸顯摩爾定律的延續和進化。在今年 IEEE 國際電子元件會議(IEDM)上,英特爾研究人員展示了結合晶片背部供電和直接背部接觸的3D堆疊 CMOS(互補金屬氧化物半導體)電晶體的最

比利時微電子研究中心(imec)於本文攜手矽智財公司Arm,介紹一種展示特定晶背供電網路設計的設計技術協同優化(DTCO)方案,其中採用了奈米矽穿孔及埋入式電源軌來進行晶背佈線。

英特爾是首家在類產品的測試晶片上實作背部供電的公司,達成推動世界進入下個運算時代所需的效能。英特爾領先業界的晶片背部供電解決方案-PowerVia,將於2024上半年在Intel 20A製程節點推出。藉由將電源迴路移至晶圓的背面,解決因晶片

此篇訪談中,比利時微電子研究中心(imec)先進圖形化製程與材料研究計畫的高級研發SVP Steven Scheer以近期及長期發展的觀點,聚焦圖形化技術所面臨的研發挑戰與創新。

隨著半導體先進製程推進到2奈米(nm)之後,晶片微縮電路的布線與架構,就成為性能與可靠度的發展關鍵,而imec的論文則為2奈米以下的晶片製程找到了一條兼具可行性與可靠度的道路。