搜尋

會員登入

搜尋

導覽

會員
廣告
廣告
類別:
關鍵字:

搜尋「晶圓」,共 6659

安森美(onsemi)發布嵌入式電源平台(EPP),這是一項突破性架構,以矽晶圓本身作為封裝載體,並引入高度整合的電源系統設計方法。EPP是可擴展的平台,從設計之初便整合電氣、機械和熱設計,針對AI、電氣化和自動駕駛應用,幫助客戶實現更高的

AI資料中心持續擴大GPU與ASIC叢集,產業競爭焦點正從單純增加運算晶片,轉向如何高速搬移資料。GlobalFoundries與Marvell宣布擴大多年合作,提高美國Vermont廠高效能矽鍺(Silicon Germanium, Si

AI供應鏈美國在地化正從伺服器組裝向半導體製造上游延伸。而SK海力士正與Intel洽談首次在美國製造記憶體的可能性,其中一項方案是租用Intel俄亥俄州晶圓廠部分產能,另一種可能則是與Intel及希望確保記憶體供應的雲端業者成立合資企業。不

HBM4將AI記憶體競爭推向更複雜的3D異質整合。除了提高頻寬與堆疊容量,新一代HBM開始把DRAM Stack與Logic Base Die、TSV及先進封裝更緊密整合,製程中的微小Void、Bump異常、Bonding偏移或TSV缺陷,

AI算力競賽不只是讓資料中心搶電,連先進晶圓廠也開始面臨相同的瓶頸。韓國電力公社(KEPCO)原希望三星電子與SK海力士預付未來五年、合計約25兆韓元電費,用於提前建設半導體聚落所需輸電與變電設施,但兩家公司考量後續設備投資及財務負擔,決定

AI晶片推升先進製程需求,半導體微縮競賽正由既有EUV邁向High-NA EUV。ASML最新High-NA曝光設備單價約4億美元,約為現行EUV兩倍,然而隨著Intel、台積電、三星及SK海力士陸續確認或規劃導入,High-NA已逐步由研

Lam Research 科林研發於美國奧勒岡州圖拉丁的研發中心舉行動土典禮,正式啟動全新先進奧勒岡研發中心的興建工程。該設施為公司未來五年逾 30 億美元全球研發網絡投資計畫的重要一環,旨在加速先進 AI 晶片開發的關鍵技術突破。 這座位

中國AI晶片自主化正進入更困難的下半場。華為、寒武紀、沐曦等業者持續推出國產AI加速器,逐步降低對NVIDIA依賴,但真正限制系統效能與量產規模的關鍵,已由單純GPU/NPU設計能力轉向HBM高頻寬記憶體。HBM也因此成為中國建立完整AI算

先進半導體微縮競爭從EUV曝光設備延伸至光阻、光罩與量測材料。日本王子控股(Oji Holdings)與imec合作開發的木質生質光阻,透過High-NA EUV曝光已成功形成10奈米線寬及16奈米孔洞圖形,鎖定A14世代製程,更重要的是不

AI基礎建設競賽逐漸從GPU算力延伸至電力轉換。隨著AI伺服器功率密度提高,傳統資料中心供電面臨轉換損耗、電流與散熱壓力,800V高壓直流(HVDC)、固態變壓器(SST)與寬能隙功率半導體逐漸形成新一代供電架構,SiC、GaN也從電動車與

AI正從半導體產品需求來源,進一步成為晶片製造工具。三星電子宣布與法國Mistral AI建立策略合作,將大型語言模型及AI平台導入半導體DS部門,結合三星自身製程與工程資料,打造半導體專用On-Premises AI,應用範圍涵蓋資料分析

半導體製造面臨功耗與異質整合的嚴峻挑戰。科林研發(Lam Research)在 2026 會計年度中,科林研發全球營收達 232 億美元,研發投資規模達 24 億美元,展現其在製程技術創新的深厚底蘊。科林研發台灣區總經理郭偉毅博士於 SEM

過去十年間,全球科技產業對AI與機器學習的想像,經歷了從量變到質變的洗牌。生成式AI並非全盤否定傳統判別式演算法,而是在其精準感知、即時控制的基石上,補足了抽象思考、泛化遷移與自主推理的拼圖。

AI晶片尺寸擴大、高速互連與異質整合需求升溫,這讓台灣面板業累積多年的大面積玻璃加工、精密製程與光電整合技術找到新出口。群創、友達加速由顯示器跨入半導體領域,布局FOPLP、玻璃核心基板(GCS)及Micro LED CPO,面板與半導體兩